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隨著數(shù)據(jù)中心對于數(shù)據(jù)傳輸帶寬與傳輸速率需求的持續(xù)提升,傳統(tǒng)的銅纜電氣連接已經(jīng)無法滿足高帶寬、低延遲的需求。因此,光通信技術(shù)因其具備的高帶寬、遠(yuǎn)距離傳輸能力、低功耗以及抗干擾性等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為數(shù)據(jù)中心內(nèi)...
人工智能時(shí)代的應(yīng)用場景非常的復(fù)雜,對吸波材料的需求也將更加的個(gè)性化。碳化硅作為一種具有較低密度、高熱導(dǎo)率、抗氧化性、抗腐蝕性的吸波材料,因其電導(dǎo)率和介電損耗較低,使得阻抗匹配性能難以滿足現(xiàn)實(shí)需求,而阻...
在面向生成式AI的硬件中,需要通過電源線輸送足夠的電流到處理器,才能保障章程執(zhí)行計(jì)算處理,但在實(shí)際工作中,電源供給速度通常難以跟上處理器需要的大電流,這給系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能帶來了挑戰(zhàn)。因此,在處理器的電...
碳化硅(SiC)作為當(dāng)前研發(fā)較為集中的第三代半導(dǎo)體材料,在電磁波吸收領(lǐng)域同樣具有巨大的發(fā)展前景,它具有電阻率可調(diào)、抗熱震性、密度小、熱膨脹系數(shù)低、抗沖擊性好等優(yōu)點(diǎn),在800℃以上的耐高溫性能更是顯著優(yōu)于鐵磁...
隨著互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云存儲、云計(jì)算的快速發(fā)展,人們步入高度信息化時(shí)代,數(shù)據(jù)產(chǎn)生量呈指數(shù)級增長,據(jù)國際數(shù)據(jù)公司(IDC)測算,到2025年,全球?qū)a(chǎn)生175ZB(1ZB=1012GB)的數(shù)據(jù)總量,其中約10%-15%的數(shù)據(jù)最終會...
以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有遠(yuǎn)大于Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料的帶隙寬度,且還具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射等優(yōu)異特性,更加適應(yīng)于電力電子、微波射頻和光電子等高壓...
馮諾依曼體系結(jié)構(gòu)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)。在該架構(gòu)中,計(jì)算機(jī)的計(jì)算和存儲功能分別由中央處理器和存儲器獨(dú)立完成,而它們之間的通信要通過總線來進(jìn)行。隨著AI極速發(fā)展,芯片算力呈爆發(fā)式增長,當(dāng)執(zhí)行這種以大數(shù)據(jù)為核心...
現(xiàn)代科技的快速發(fā)展使得電磁波成為信息傳播的重要媒介,極大地便利了人們的日常生活,但電磁波的廣泛使用給人們的健康帶來了不良的影響;各電子設(shè)備間的電磁干擾會造成信號攔截、數(shù)據(jù)丟失等問題,嚴(yán)重影響設(shè)備的性能...
在人工智能時(shí)代,散熱成為高算力、高集成度電子元器件的一大關(guān)鍵問題。只有選擇合適的導(dǎo)熱材料,才能有效將芯片工作時(shí)的熱量及時(shí)散發(fā)出去,防止芯片因過熱而性能下降或損壞。但是大多數(shù)情況下,高分子材料屬于熱的不...
如今,ChatGPT等系統(tǒng)提供動(dòng)力的大型語言模型日益普及,面對越來越大的用戶需求壓力,數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等都在朝著高頻、高功率的方向發(fā)展,而各種高性能材料的應(yīng)用成為了推動(dòng)這一領(lǐng)域迭代升級的關(guān)鍵因素之一。玻璃材...
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