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隨著市場(chǎng)上對(duì)成像質(zhì)量以及器件小型化要求的不斷提高,高精度的光學(xué)非球面鏡逐漸在光學(xué)儀器、空間激光通信、航空航天等領(lǐng)域中得到重要應(yīng)用。作為新一代光學(xué)加工技術(shù),磁流變拋光技術(shù)具有去除函數(shù)穩(wěn)定、材料去除效率高...
半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展歷程中,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)作為關(guān)鍵工序之一,起到了至關(guān)重要的作用。從第一代到第四代半導(dǎo)體材料,CMP拋光中的磨料也經(jīng)歷了顯著的變遷。這些磨料不僅直接影響了拋光效果,還對(duì)晶圓的表面質(zhì)...
為了滿足不斷增長(zhǎng)的半導(dǎo)體和電子器件的性能需求,外延技術(shù)正逐漸發(fā)展并成為當(dāng)下優(yōu)化器件性能的一大關(guān)鍵技術(shù)。外延生長(zhǎng)是一種生長(zhǎng)單晶薄膜的有效方法,是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與襯底晶向相同或相近的單晶層。根據(jù)外延...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在現(xiàn)代社會(huì)中扮演著至關(guān)重要的角色,從智能手機(jī)到智慧城市基礎(chǔ)設(shè)施,深刻影響著人們的生活。特別是在第三代半導(dǎo)體材料,如GaN、SiC,它們?cè)陔娮舆w移率、飽和漂移速率和禁帶寬度等方面表現(xiàn)優(yōu)異,使得這些材...
作為AI算力提升的硬件基礎(chǔ),AI芯片升級(jí)迫在眉睫,催生了相關(guān)材料發(fā)展機(jī)遇。比如,隨著AI服務(wù)器的CPU主頻越來越高,具有更高效率、更小體積,能夠更好地響應(yīng)大電流變化的一體成型電感正在接替光模塊,成為算力建設(shè)最...
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種超精密的表面加工技術(shù),其通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削的雙重耦合作用,來實(shí)現(xiàn)工件表面納米級(jí)的局部或全局平坦化。在CMP過程中,磨料作為機(jī)械作用和化學(xué)作用的直接實(shí)施者和傳遞者起到了非常關(guān)鍵...
在當(dāng)前信息量爆炸的時(shí)代,電子芯片算力的增長(zhǎng)遠(yuǎn)低于人工智能計(jì)算需求的增長(zhǎng),以微納光子集成為基礎(chǔ)的光子芯片結(jié)合基于光學(xué)計(jì)算的人工智能數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)將成為應(yīng)對(duì)未來低功耗、高速率、大數(shù)據(jù)量信息處理能力的關(guān)鍵。之...
在現(xiàn)代科技的推動(dòng)下,智能手機(jī)、平板電腦等顯示設(shè)備越來越輕薄、便攜。而實(shí)現(xiàn)這些特點(diǎn)的背后,離不開顯示器減薄和拋光技術(shù)的支持。顯示器的減薄是通過蝕刻等手段去除多余材料,使屏幕達(dá)到理想的厚度;而拋光則進(jìn)一步...
CMP拋光墊是采用化學(xué)研磨拋光工藝技術(shù)的關(guān)鍵核心材料,為了有助于持續(xù)輸送新鮮漿料到晶圓和拋光墊接觸區(qū)域,并能夠攜帶并排除研磨產(chǎn)生的碎屑,拋光墊表面往往設(shè)計(jì)有各種紋路。不過,由于拋光過程中材料施加的摩擦力...
近半個(gè)世紀(jì)以來,集成電路領(lǐng)域一直遵循著摩爾定律飛速發(fā)展,但隨著芯片愈加小尺寸化,引發(fā)了短溝道效應(yīng)、量子效應(yīng)、熱效應(yīng)、信號(hào)干擾等一系列問題,也給芯片制程的更新?lián)Q代帶來一定的難度,芯片領(lǐng)域的發(fā)展因而受到一...
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