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隨著人工智能、高頻通訊等領域的發展，第一代半導體鍺(Ge)、硅(Si)等已經發展得十分成熟，甚至已逐漸接近物理極限，于是人們紛紛在半導體領域尋找新的機遇，氮化鎵作為第三代半導體材料，在一眾候選者中脫穎而出。氮...
在人工智能時代，電子器件正逐漸朝著小型化和高度集成化方向發展，設備運行速度的加快以及元器件的高度集成，使得散熱成為當下阻礙電子技術發展的一大問題。傳統的金屬、陶瓷以及高分子材料等單一組分封裝材料如今較...
隨著信息技術的快速發展，人工智能、5G通信、激光雷達等領域提出了對高功率數據傳輸系統的需求。光子芯片作為具有高傳輸帶寬、低延遲、低功耗、抗干擾等特點的新一代傳輸系統，在高功率、大容量的信息傳輸和信息處理...
隨著人工智能技術的飛速發展，芯片性能提升成為推動行業進步的核心動力。在這些芯片背后，硅鍺（SiGe）作為一種半導體材料，正在悄然發揮著越來越重要的作用。硅和鍺同屬IV族元素，鍺位于硅的正下方，比硅多一個電子...
隨著數據中心對于數據傳輸帶寬與傳輸速率需求的持續提升，傳統的銅纜電氣連接已經無法滿足高帶寬、低延遲的需求。因此，光通信技術因其具備的高帶寬、遠距離傳輸能力、低功耗以及抗干擾性等優點，逐漸成為數據中心內...
人工智能時代的應用場景非常的復雜，對吸波材料的需求也將更加的個性化。碳化硅作為一種具有較低密度、高熱導率、抗氧化性、抗腐蝕性的吸波材料，因其電導率和介電損耗較低，使得阻抗匹配性能難以滿足現實需求，而阻...
在面向生成式AI的硬件中，需要通過電源線輸送足夠的電流到處理器，才能保障章程執行計算處理，但在實際工作中，電源供給速度通常難以跟上處理器需要的大電流，這給系統的穩定性和性能帶來了挑戰。因此，在處理器的電...
碳化硅（SiC）作為當前研發較為集中的第三代半導體材料，在電磁波吸收領域同樣具有巨大的發展前景，它具有電阻率可調、抗熱震性、密度小、熱膨脹系數低、抗沖擊性好等優點，在800℃以上的耐高溫性能更是顯著優于鐵磁...
隨著互聯網、人工智能、云存儲、云計算的快速發展，人們步入高度信息化時代，數據產生量呈指數級增長，據國際數據公司（IDC）測算，到2025年，全球將產生175ZB（1ZB=1012GB）的數據總量，其中約10%-15%的數據最終會...
以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料具有遠大于Si和GaAs等第一、二代半導體材料的帶隙寬度，且還具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射等優異特性，更加適應于電力電子、微波射頻和光電子等高壓...
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2024/09/23
