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近年來(lái),隨著具備高溫適應(yīng)性和高壓耐受性的SiC(碳化硅)功率器件在電路中的廣泛應(yīng)用,以及電動(dòng)汽車(chē)(EV)為了縮短充電時(shí)間而要求更高電壓和大電流的電路設(shè)計(jì),電路中使用的諧振電容器和吸收電容器對(duì)高壓耐受性的需...
10月9日,中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)發(fā)函,《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已通過(guò)專(zhuān)家立項(xiàng)評(píng)審,予以公示,并公開(kāi)征集標(biāo)準(zhǔn)制修訂工作參與單位。歡迎有相關(guān)意見(jiàn)或意向的組織和個(gè)人積極參與標(biāo)準(zhǔn)制定。碳化硅(SiC)...
進(jìn)入AI時(shí)代,信息量的爆發(fā)式增長(zhǎng)使得人們對(duì)信息處理能力的需求也不斷提升。隨著摩爾定律開(kāi)始逼近物理極限,集成電路技術(shù)的發(fā)展面臨著極限,電子學(xué)的瓶頸越來(lái)越凸顯,人們開(kāi)始尋求更高速、更大容量的信息傳輸方案。受...
9月26日,材料科技公司NaieelTechnology宣布,氮化硼納米管BNNT工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)取得里程碑式突破,這種尖端材料實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn),并大幅降低生產(chǎn)成本,將使其工業(yè)和半導(dǎo)體等高端領(lǐng)域廣泛應(yīng)用成為可能。NaieelTechnology官...
人工智能的快速發(fā)展,拉動(dòng)了高速信號(hào)處理、光通信、光學(xué)傳感器等領(lǐng)域的建設(shè)需求。磷化銦(InP)作為具有電子遷移率高、禁帶寬度大、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)良特性的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,被認(rèn)...
據(jù)內(nèi)蒙古自治區(qū)工業(yè)和信息化廳日前發(fā)布,工信廳組織中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)蒙泰集團(tuán)年產(chǎn)1萬(wàn)噸高鋁粉煤灰/煤矸石提取鋁硅氧化物及鋁硅合金項(xiàng)目進(jìn)行技術(shù)成果鑒定,中國(guó)工程院柴立元、黃小衛(wèi)、趙中偉三位院士以及國(guó)內(nèi)有...
9月25日,在2024集成電路(無(wú)錫)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)上,上海交通大學(xué)無(wú)錫光子芯片研究院建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條薄膜鈮酸鋰光子芯片中試線在無(wú)錫濱湖區(qū)啟動(dòng)。中試線正式啟用后,預(yù)計(jì)年產(chǎn)能達(dá)10000片晶圓,2025年第一季度將正式發(fā)布...
半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展是隨著半導(dǎo)體材料的第一代、第二代、第三代禁帶寬度的逐漸打開(kāi)以及功率密度的提高決定的。同時(shí),隨著這些材料的進(jìn)步,器件對(duì)電源系統(tǒng)的效率和性能提出了更高的要求,配套的磁性元器件更是在其中...
2024年9月27日,中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)粉體技術(shù)分會(huì)在平頂山市河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司組織召開(kāi)了《晶體用高純碳化硅粉體》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)評(píng)審會(huì)。本次會(huì)議是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委對(duì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的要求和中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)《C...
AI算力的飛速發(fā)展對(duì)電源設(shè)計(jì)提出了前所未有的挑戰(zhàn),特別是在大規(guī)模AI模型訓(xùn)練和推理中,計(jì)算設(shè)備的功耗急劇增加。隨著AI芯片的性能不斷提升,功率密度也隨之顯著提高,例如英偉達(dá)新一代GB200顯卡單板TDP(熱設(shè)計(jì)功耗...
萬(wàn)里行丨中鋁中州新材料:以“中國(guó)白”閃耀全球,打造精細(xì)氧化鋁產(chǎn)業(yè)新高地
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