10月9日，中國電子材料行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)發(fā)函，《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準已通過專家立項評審，予以公示，并公開征集標準制修訂工作參與單位。歡迎有相關意見或意向的組織和個人積極參與標準制定。

碳化硅(SiC)以其寬帶隙、高臨界擊穿場強、高熱導率、高載流子飽和遷移率等優(yōu)點，被認為是目前較具發(fā)展前景的半導體材料之一。近年來，物理氣相傳輸(PVT)法在制備大尺寸、高質量SiC單晶襯底方面取得了重大突破，進一步推動了SiC在高壓、高頻、高溫電子器件領域的應用。

各類SiC晶體原材料

SiC 粉體是PVT法生長SiC單晶的原料，其純度會直接影響SiC單晶的雜質含量，從而影響SiC單晶的電學性質，其中生長高質量的半絕緣 SiC單晶更是直接受限于SiC粉體中N元素的含量。碳化硅長晶過程中用到的原料碳化硅粉體的各項指標，直接影響碳化硅晶體的質量。各廠家長晶工藝不同，除了對碳化硅粉體純度有要求之外，粒徑和晶型對晶體生長的影響很大，需要高純SiC粉體形狀、粒度、粒徑分布等參數(shù)的有效控制。由于各家工藝路線的差異，不同企業(yè)對物理化學指標的要求存在不確定性，上述等等原因造成的原料質量不穩(wěn)定，非常不利于下游晶體行業(yè)的快速發(fā)展。

團體標準立項評審會

對此，2024年9月27日中國電子材料行業(yè)協(xié)會粉體技術分會在平頂山市河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司組織召開了《晶體用高純碳化硅粉體》團體標準立項評審會。計劃通過團體標準的規(guī)范，給晶體用碳化硅粉體企業(yè)指明方向，解決下游晶體廠家所需高純碳化硅粉體產(chǎn)晶質量的穩(wěn)定性問題，更好地配合行業(yè)客戶的需求，促進產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，進而提升高純碳化硅粉體行業(yè)整體技術及質量標準水平。

關于中宜創(chuàng)芯

河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司成立于2023年5月24日，是由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團合資設立的公司，計劃投資20億元，分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體項目。項目一期500噸生線于2023年6月20日開工建設，并于9月30日產(chǎn)品成功下線，創(chuàng)同類行業(yè)建設和投產(chǎn)的最快速度。2024年3月30日，一期生產(chǎn)線達產(chǎn)產(chǎn)品純度最高達到99.999998%，已在國內三十多家企業(yè)和科研機構開展試用和驗證。

如果對立項標準有任何疑問或者不同的看法，歡迎在公示期間內，用書面形式進行反饋。同時，如有興趣參與到標準的制定和修訂過程中，也請直接向協(xié)會的標準化工作部提出申請。期待相關單位和專家的寶貴意見和積極參與。

相關鏈接：《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準網(wǎng)上公示并公開征集參與單位的公告

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