隨著人工智能技術的飛速發展,芯片性能提升成為推動行業進步的核心動力。在這些芯片背后,硅鍺(SiGe)作為一種半導體材料,正在悄然發揮著越來越重要的作用。
硅和鍺同屬IV族元素,鍺位于硅的正下方,比硅多一個電子層。與較為傳統的硅相比,硅鍺憑借優異的電學特性,成為高頻和高速數據處理的理想材料,在高速通信和邊緣計算領域表現突出。那么,究竟是什么讓硅鍺脫穎而出?它在AI產業中又扮演著怎樣的角色?
什么是硅鍺?
要了解硅鍺,首先需要了解硅和鍺,尤其是鍺:
1、硅(Si)
首先,硅(Si)是半導體產業的基石。因其豐富的自然資源和穩定的化學特性,廣泛應用于各種電子器件中。作為大多數半導體器件的主要材料,硅擁有出色的導電性能和較高的熱穩定性,特別適合用于常規的低頻、高密度集成電路中。可以說,硅的應用讓我們進入了信息時代,但在面對高頻、高速的應用場景時,它的電學性能已經逐漸無法滿足更高的需求。
硅晶片
2、鍺(Ge)
而鍺(Ge)是一種少見的半導體材料,早在1869年化學家門捷列夫在創建元素周期表時就預測了鍺的存在,并將其命名為“類硅”,暗示它與硅有相似的性質。然而,直到1886年,德國化學家克萊門斯·溫克勒才從銀礦物中成功分離出鍺,驗證了門捷列夫的預測。
Ge金屬
在20世紀20年代,科學家開始研究鍺的電學性能,特別是其高電子遷移率。二戰期間,鍺憑借優秀的電學性能、較高的穩定性和低熔點,被用于制造雷達接收器中的點接觸整流器,顯著提升了性能。1947年,貝爾實驗室發明了世界首個晶體管,鍺成為主要材料,廣泛應用于軍事計算機、電話交換設備、收音機和助聽器等。
世界上第一個晶體管——用鍺制成
盡管鍺在高頻應用、射頻器件和高速光電子器件中具備獨特的優勢,但其稀缺性限制了其大規模使用。隨著硅技術的崛起,鍺逐漸被硅取代,特別是在大規模集成電路中的應用。然而,鍺依舊在一些特定領域占據重要地位。值得注意的是,2023年7月3日,中國商務部和海關總署發布公告,對鍺及其相關物項實施出口管制,進一步彰顯了這一材料的戰略意義。
3、硅鍺(SiGe)
雖然自打硅晶體管開始登上歷史舞臺,鍺的許多應用就逐漸被硅取代,但是這并不意味著鍺被掃入了歷史博物館。人們又為鍺找到了新的應用——硅鍺(SiGe)。它是硅與鍺優勢互補的理想材料組合,由IBM研究人員在20世紀70年代和80年代發現,迅速成為半導體領域的重要突破之一。
SiGe可以在幾乎任何硅基板上生長,鍺的加入賦予其比純硅更優異的電學特性。SiGe不僅保留了硅的穩定性和低成本,還具備更高的電子遷移率和頻率響應,大幅提升了器件在高頻、高速環境下的性能。利用Si-SiGe連接的電路相比純硅電路具有更快的電子遷移率。
SiGe外延晶片
此外,SiGe與傳統的硅基工藝兼容,這使得它能夠融入現有的生產流程,進一步降低了制造成本。因此,SiGe在無線通信、高速計算以及其他需要高頻響應的領域得到了廣泛應用,特別是在5G和光通信、雷達/激光雷達以及高速銅接口應用中,其性能優勢尤為明顯。
硅鍺與AI產業的結合
SiGe技術的核心是SiGe異質結雙極晶體管(HBT)。與傳統的硅雙極晶體管相比,SiGe HBT具有更高的速度、更低的噪聲和更低的功耗等優勢。這使得SiGe成為實現通信電路的理想選擇,特別是在射頻和模擬應用方面表現出色。
射頻芯片QUBiC SiGe
而在如今發展得如火如荼的人工智能(AI)產業中,SiGe技術的前景主要體現在以下幾個方面:
①高性能計算和信號處理:AI系統通常需要處理大量的數據并進行復雜的計算。SiGe器件能夠在高頻下工作,且功耗較低,適合用于構建高速信號處理器和通信模塊,提升AI芯片的整體性能。
②5G與邊緣計算:隨著5G技術的發展,AI與邊緣計算的結合日益緊密,設備(如智能手機、物聯網設備等)需要在本地數據中心快速處理和傳輸數據,不會完全依賴云計算。SiGe材料在5G高頻頻段(毫米波)中表現出色,廣泛應用于相關的AI硬件中,用于構建高效的射頻前端和數據傳輸模塊,滿足相關系統的實時計算和通信需求,如此一來這些設備即使沒有互聯網連接也可以運行并獨立做出決策。
③高精度傳感器:SiGe材料憑借其低噪聲特性、高電子遷移率和優異的光電響應能力,在構建高精度傳感器方面展現出顯著優勢,在相關AI系統的數據輸入和處理過程中發揮了重要作用。比如,SiGe傳感器在自動駕駛和智能制造中能夠增強視覺和環境感知功能。其關鍵在于,SiGe外延層應用于短波紅外傳感器時,可提高對短波紅外光的探測靈敏度,提升信號處理的精度和效率。
總結
總之,在未來隨著AI產業對更高速、低功耗的需求增長,SiGe材料可能在通信、數據處理等關鍵領域中獲得更廣泛的應用,尤其是在需要高頻和低延遲的場景中。隨著技術的不斷成熟和工藝的優化,SiGe有望突破更多技術瓶頸,為5G網絡、邊緣計算以及新一代智能設備提供更強大的支持。
資料來源:
AI芯天下丨深度丨鎵、鍺兩個元素將撬動半導體全球化
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作者:NANA
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