3月20日，蘇州維特萊恩科技集團有限公司聯合德國WTI集團和蘇州優晶光電科技有限公司，在上海舉辦“首臺套大尺寸電阻法碳化硅設備創新發布會”，正式發布該公司大尺寸電阻法碳化硅單晶生長設備及工藝。

中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會理事長、天津理工大學教授胡章貴博士認為：“俄羅斯的Tairov是國際公認的碳化硅單晶工業化生長技術的鼻祖。我國從上世紀末開始起步，目前已突破2英寸和4英寸的感應法生長技術，仍面臨著晶體良率不高和有效利用率較低等問題，導致國內碳化硅襯底片的價格一直無法與國外同類產品競爭，更滿足不了國內的市場需求。電阻法碳化硅晶體生長方法具有溫場可調、生長過程自動化程度高、晶體有效利用率大等特點，特別適合6英寸以上大尺寸碳化硅晶體的生長，是一種非常有發展潛力的高品質碳化硅生長技術。建議在產業化過程中充分借鑒國內已有的感應法生長經驗，加強與國內從事相關領域的科研院所的技術合作，盡快形成碳化硅襯底片的產能優勢。”

藍寶石長晶領域專家，哈爾濱工業大學張明福教授指出：“碳化硅具有禁帶寬、擊穿電壓高，器件耐高溫等特點，是高亮度LED、大功率半導體器件襯底的首選材料。很高興見證了維特萊恩公司大尺寸電阻法碳化硅長晶設備的發布，該公司技術團隊與碳化硅生長技術的鼻祖、俄羅斯Tairov技術團隊緊密合作，短時間內使國內的碳化硅生長設備與技術達到了國際領先水平。”張教授建議維特萊恩盡快與資本結合，使該技術產業化，推動我國寬禁帶半導體技術進步和相關產業的發展。

蘇州維特萊恩科技集團有限公司董事長（德國WTI集團全球總裁）約瑟夫?衛爾德先生表示，維特萊恩一直專注于電阻法大尺寸碳化硅長晶爐及工藝技術的研究與開發，通過與俄羅斯Tairov技術團隊的緊密合作，目前取得了具有顯著創新性和先進性的階段性成果，這一成果是中、俄、德三國國際合作的典范，維特萊恩愿意為中國乃至世界的半導體產業提供最優的制造裝備和襯底產品。

蘇州維特萊恩科技集團有限公司總裁（蘇州優晶光電科技有限公司董事長）麗莎?劉女士介紹說，維特萊恩的電阻法碳化硅長晶爐工藝簡單、自動化程度高、長晶時間短、設備性能穩定，符合未來大尺寸碳化硅單晶生長技術的發展趨勢；生長出的晶體位錯密度和微管密度低、晶型單一、有效厚度大、有效產片率高，填補了國內6英寸以上大尺寸碳化硅晶體市場空白。未來將更加緊密地與俄羅斯、烏克蘭、亞美尼亞等國相關領域的科研院所合作，完善生長裝備與工藝技術，助力寬禁帶半導體器件和下游產業的快速發展。

來源：科技日報