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江蘇集芯:首枚8英寸液相法(LPE)碳化硅單晶出爐

發(fā)布時間 | 2025-08-18 17:13 分類 | 企業(yè)動態(tài) 點擊量 | 544
碳化硅
導(dǎo)讀:據(jù)徐州日報報道,江蘇集芯近日成功出爐首枚8英寸液相法(LPE)碳化硅單晶,經(jīng)檢測晶體面型、晶型與結(jié)晶質(zhì)量達(dá)標(biāo),在技術(shù)路線上填補(bǔ)了國內(nèi)空白,在產(chǎn)品上完成從6英寸到8英寸的跨越。

據(jù)徐州日報報道,江蘇集芯近日成功出爐首枚8英寸液相法(LPE)碳化硅單晶,經(jīng)檢測晶體面型、晶型與結(jié)晶質(zhì)量達(dá)標(biāo),在技術(shù)路線上填補(bǔ)了國內(nèi)空白,在產(chǎn)品上完成從6英寸到8英寸的跨越。


LPE是liquid phase epitaxy的縮寫,全稱意義是液相外延。該技術(shù)因有望實現(xiàn)更高的效率、更低的成本和更好的材料利用率,被視為物理氣相傳輸(PVT)晶體生長的潛在替代方案。顯而易見的,LPE可以省去高純SiC粉末的制備,液相摻雜也更靈活。但在日韓(日本古河、韓國LG)以及國內(nèi)長期研究中,基本還停留在研發(fā)和實驗室小試階段,未有令人信服的性能或成本突破。據(jù)業(yè)內(nèi)人士總結(jié),主要原因大概可以總結(jié)為以下幾個方面:

1、純度,LPE通過碳、硅液相反應(yīng)生長,環(huán)境雜質(zhì)控制難度大;

2、雜相,液相生長更容易生成3C-SiC,而非半導(dǎo)體晶圓的4H-SiC,存在混合相干擾;

3、缺陷,液相生長速度快,晶種與液體界面容易出現(xiàn)失配;

4、裝備,擴(kuò)大生產(chǎn)缺乏成熟的裝備平臺以及工藝方面的系統(tǒng)解決方案。

公開信息顯示,江蘇集芯成立于2023年,聚焦第三代半導(dǎo)體碳化硅材料研發(fā),產(chǎn)品覆蓋高純SiC粉料(≥6N)、6/8英寸SiC襯底及配套材料。一期產(chǎn)能規(guī)劃為15萬片襯底/年,已實現(xiàn)PVT法6/8英寸量產(chǎn)。本次實現(xiàn)LPE技術(shù)重大突破,意味著中國在下一代SiC襯底技術(shù)上具備強(qiáng)大競爭力,引領(lǐng)SiC產(chǎn)業(yè)升級革新。


粉體圈整理

作者:粉體圈

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