2025年8月1日，中國電子材料行業協會官網發函，批準發布團體標準《晶體生長用高純碳化硅粉體》，并予以公示，團體標準編號為“T/CEMIA 049-2025”，實施日期是2025年11月1日。

該團體標準適用于純度不低于99.9999wt%（6N）的晶體生長用高純碳化硅粉體，規定了晶體生長用高純碳化硅粉體的技術要求、試驗方法、檢驗規則和包裝、標志、運輸及貯存。

碳化硅（SiC）憑借其優異的性能，是極具前景的半導體材料。物理氣相傳輸（PVT）法作為生長高質量SiC單晶的主流技術，其原料——高純碳化硅粉體的質量至關重要。粉體的純度（尤其是N元素含量）、粒度分布及晶型等參數直接影響晶體質量。然而，由于缺乏統一標準，各企業對粉體指標要求不一，導致原料質量不穩定，阻礙了下游產業發展。因此，由中國電子材料行業協會粉體技術分會提出制定《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準，規范碳化硅粉體質量，滿足行業需求，以此推動整個半導體產業鏈的技術提升和健康發展。

該團體標準的發布填補了國內晶體生長用高純碳化硅粉體標準的空白，通過統一關鍵指標（如純度、雜質限值、粒度等），將顯著提升國產粉體質量和一致性，降低下游晶體生長環節的技術風險與驗證成本，加速國產高純碳化硅粉體的應用和替代進程，有力支撐我國第三代半導體產業鏈的自主可控與高質量發展。

本團標牽頭單位：河南中宜創芯發展有限公司

起草單位：紹興晶彩科技有限公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、華為技術有限公司、廣州志橙半導體有限公司、西安博爾新材料有限責任公司、山東圣諾實業有限公司、汕頭天意半導體技術有限公司、連科半導體有限公司、平頂山易成新材料有限公司、江蘇三責新材料科技股份有限公司、東方電氣先進材料科技（四川）有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研測試技術（河南）有限公司、內蒙古賽盛新材料有限公司。

相關鏈接：

關于批準發布《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準的公告

http://www.cemia.org.cn/index.php?m=content&c=index&a=show&catid=59&id=3363

粉體技術分會秘書處