隨著電子信息、生物醫(yī)療等領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，器件結(jié)構(gòu)或尺度邁向微小化和微型化，微納制造技術(shù)的重要性日益凸顯。作為半導(dǎo)體、光電子等高科技產(chǎn)業(yè)的核心驅(qū)動(dòng)力，微納制造直接關(guān)系到半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控，是提升中國(guó)整體制造業(yè)創(chuàng)新力與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力、保障國(guó)家科技安全的關(guān)鍵途徑。

然而，相比于國(guó)際前沿水平，中國(guó)在微納制造技術(shù)上存在階段性差距，目前部分關(guān)鍵材料及高端設(shè)備面臨嚴(yán)峻的“卡脖子”困境。比如，由于美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)2022年8月 12 日發(fā)布對(duì)氧化鎵及金剛石實(shí)施出口管制等，嚴(yán)重限制了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在這一背景下，哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與資深工程師團(tuán)隊(duì)共同創(chuàng)立的鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司充分利用人才團(tuán)隊(duì)積淀了30多年的深厚技術(shù)底蘊(yùn)，針對(duì)薄膜沉積行業(yè)的痛點(diǎn)及難點(diǎn)，打造了一條覆蓋材料、器件、工藝到設(shè)備裝備制造的一條龍服務(wù)，推出了高真空磁控濺射鍍膜機(jī)、HFCVD金剛石制備設(shè)備、分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備等.一系列產(chǎn)品，在微納光學(xué)、聲學(xué)、醫(yī)療、環(huán)保領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用。

精英人才方陣：產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng)新

鵬城半導(dǎo)體立足于技術(shù)前沿與市場(chǎng)前沿的交叉點(diǎn)，聚焦微納技術(shù)與高端精密制造，旨在解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。針對(duì)行業(yè)普遍存在的"技術(shù)人員整合厚度不足、忽視工藝開(kāi)發(fā)"的癥結(jié)，公司在創(chuàng)立之初就系統(tǒng)性構(gòu)建了知識(shí)結(jié)構(gòu)完整的精英人才團(tuán)隊(duì)，突顯"產(chǎn)學(xué)研用"深度協(xié)同的優(yōu)勢(shì)：

高水平的科研團(tuán)隊(duì)：以哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）教授和博士為核心，專(zhuān)注半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)及薄膜工藝開(kāi)發(fā)，聚焦基礎(chǔ)理論創(chuàng)新；

經(jīng)驗(yàn)豐富的工業(yè)團(tuán)隊(duì)：擁有來(lái)自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師，具備超過(guò)20年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)開(kāi)發(fā)及半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備的設(shè)計(jì)與制造經(jīng)驗(yàn)，確保技術(shù)成果高效產(chǎn)業(yè)化

除此之外，公司依托哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)與檢測(cè)平臺(tái)，在高真空磁控濺射、分子束外延（MBE）等核心裝備研發(fā)中占據(jù)高起點(diǎn)，為突破鍍膜監(jiān)控系統(tǒng)、工藝算法優(yōu)化等"卡脖子"環(huán)節(jié)提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

核心產(chǎn)品體系：多元化薄膜沉積解決方案

基于人才與平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，鵬城半導(dǎo)體成功開(kāi)發(fā)出多款面向不同工藝、不同應(yīng)用的薄膜沉積裝備，為中國(guó)微納制造自主化提供關(guān)鍵支撐：

1、生產(chǎn)型 TGV/TSV /TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)

該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。

優(yōu)點(diǎn)：膜層均勻性及重復(fù)性高，膜層附著力強(qiáng)，設(shè)備依據(jù)工藝配方進(jìn)行可編程自動(dòng)化控制。

2、HFCVD金剛石制備設(shè)備

HFCVD金剛石制備設(shè)備及生產(chǎn)線

該設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)。可用于力學(xué)級(jí)別、熱學(xué)級(jí)別、光學(xué)級(jí)別、聲學(xué)級(jí)別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域：

制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。

生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層；環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。

平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

用于太陽(yáng)能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

3、科研型高真空磁控濺射儀

該系列設(shè)備主要用圓形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。可用于TGV/TSV/TMV 先進(jìn)封裝的研發(fā)，高深徑比（≥10:1）的深孔種子層鍍膜。

4、分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備（MBE）

該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等，可以進(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。

優(yōu)勢(shì)：該設(shè)備在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng)，它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

5、PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

該設(shè)備主要采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

6、生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機(jī)

PVD-1000S系列設(shè)備集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體，其真空達(dá)7X10^-5Pa。可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等，廣泛應(yīng)用于銑刀、鉆頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質(zhì)耐磨涂層制備。

7、生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)

PVD-1000B系列設(shè)備同樣集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體，可在工件表面制備各種薄膜材料，其真空達(dá)8X10^-5Pa。

小結(jié)

在微納制造技術(shù)驅(qū)動(dòng)高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司重視工藝研究，致力于解決國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，希望通過(guò)產(chǎn)學(xué)研用的深度協(xié)同，在微納技術(shù)與高端精密制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，推動(dòng)半導(dǎo)體材料、工藝及設(shè)備的技術(shù)突破，減少對(duì)進(jìn)口核心裝備及工藝的依賴(lài)，最終提升中國(guó)制造業(yè)的創(chuàng)新力與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，為國(guó)家科技安全提供堅(jiān)實(shí)保障。

值得期待的是，即將于9月25-26日在蘇州舉辦的“2025全國(guó)納米金屬粉體/漿料制備與應(yīng)用創(chuàng)新發(fā)展論壇”上以展商身份重磅亮相（展位號(hào)：21），屆時(shí)歡迎您到現(xiàn)場(chǎng)與他們合作洽談！

蘇州納米金屬論壇