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隨著光電子信息技術(shù)的快速發(fā)展，對于電子元器件集成化、微型化的要求也在不斷提高，特別是對于高性能光電薄膜的需求日益增長。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)光電薄膜，尤其是BaTiO?（BTO，鈦酸鋇）薄膜，因其結(jié)構(gòu)的特性可以對其摻雜改...
氮化鋁（AlN）單晶襯底作為第四代半導(dǎo)體材料，憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)和優(yōu)異性能，有望成為AI產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵推動力量。AlN具備高達(dá)6.2eV的禁帶寬度、高擊穿場強(qiáng)、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性，以及高導(dǎo)熱和抗輻射等特性，高質(zhì)量...
半導(dǎo)體封裝在芯片前道工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)改進(jìn)有限的情況下，可以通過對芯片間的互連優(yōu)化，使芯片系統(tǒng)尺度實(shí)現(xiàn)算力、功耗和集成度等性能指標(biāo)方面的躍升，因此也被視為突破傳統(tǒng)摩爾定律的一大關(guān)鍵技術(shù)方向。隨著眾多應(yīng)用場景...
隨著碳化硅（SiC）材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，其加工工藝的重要性也日益凸顯。作為一種具有優(yōu)異性能的寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC在高功率、高頻率和高溫環(huán)境中的應(yīng)用前景廣闊。然而，由于其極高的硬度和化學(xué)穩(wěn)定...
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)是半導(dǎo)體晶片表面加工的關(guān)鍵技術(shù)之一,并用于集成電路制造過程的各階段表面平整化,近年來得到廣泛應(yīng)用。在CMP過程中,拋光墊做為關(guān)鍵耗材之一，具有儲存、運(yùn)輸拋光液、去除加工殘余物質(zhì)、傳遞機(jī)...
隨著量子信息、人工智能等高新技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)也在不斷更新迭代。從第一代半導(dǎo)體硅(Si)和鍺(Ge)，到第二代的砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)，再到第三代的碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)，我們現(xiàn)在...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對CMP拋光液的性能要求也越來越高，尤其是在制作高集成度、低功耗、高速度的芯片時，需要使用更安全、更穩(wěn)定、更高效、更環(huán)保的CMP拋光液。相對于油和其他溶劑，水基拋光液采用水作為溶劑...
在近期的半導(dǎo)體市場中，一種關(guān)鍵材料——磷化銦（InP）的需求正在經(jīng)歷一場爆發(fā)，甚至美國晶圓制造商AXT公司近日還因磷化銦產(chǎn)品需求激增而股價(jià)暴漲，其股價(jià)在3個交易日內(nèi)飆升了140%，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。而這一現(xiàn)象...
在現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展中，“拋光”正變得越來越重要，特別是在高性能電子設(shè)備和先進(jìn)光電器件中，材料的加工精度往往決定了產(chǎn)品的整體質(zhì)量。近年來，氮化鋁(AlN)陶瓷基板作為一種具備優(yōu)異的熱導(dǎo)性和電絕緣性的陶瓷材料...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)了重要地位。相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料（如硅和砷化鎵），碳化硅單晶具有更優(yōu)良的熱學(xué)和電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱性...
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2024/09/20