據財聯社報道,比亞迪半導體產品總監楊欽耀日前表示,比亞迪車規級的IGBT已經走到5代,碳化硅MOSFET已經走到3代,第4代正在開發當中。目前在規劃自建產線,預計到明年有自己的產線。
其實早在9月中旬,比亞迪半導體產品中心芯片研發總監吳海平就表示,隨著產能的逐步攀升,以及比亞迪漢的預購量遠遠超出公司的預期,碳化硅供不應求(注:漢EV也是國內首款批量搭載SicMOSFET組件的車型。)。在新能源汽車領域,碳化硅主要用于動力控制單元。目前主流車廠仍然使用IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片),但特斯拉Model3和比亞迪漢EV車型上已經開始使用SicMOSFET(碳化硅功率場效應晶體管)。本則消息中,比亞迪決定建立自己的碳化硅生產線,可能是因為外購已不能滿足需求。
而SiC廣泛應用于新一代電控單元、逆變器、DC-DC變換器以及車載充電器中,據預測,到2020年,電子半導體市場的全球規模將達到431億美元,到2024年將超過500億美元。
作者:粉體圈
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