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天科合達近10億項目開工,加倍擴大碳化硅襯底產能

發布時間 | 2020-08-20 08:56 分類 | 行業要聞 點擊量 | 3995
碳化硅
導讀:據媒體報道,8月17日天科合達總投資近10億的第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目,在北京大興舉行開工儀式。去年12月底,總投資5億元,可實現年產4-8英寸碳化硅襯底6萬片的江蘇天科合達半...

據媒體報道,8月17日天科合達總投資近10億的第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目,在北京大興舉行開工儀式。去年12月底,總投資5億元,可實現年產4-8英寸碳化硅襯底6萬片的江蘇天科合達半導體有限公司項目投產。本次是繼此之后天科合達再次加倍擴大產能。

碳化硅

今年7月15日,天科合達科創板IPO申請獲得受理,擬募集5億元,用于投資碳化硅襯底產業化基地建設項目。

據悉,此次天科合達自籌資金建設的用于碳化硅晶體襯底研發及生產的項目,總投資約9.5億元人民幣,新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線,項目建成后可年產碳化硅襯底12萬片,計劃于2022年年初完工投產。

粉體圈 整理


作者:粉體圈

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