近日，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地舉行視頻投產儀式。該項目從動工到投產，只用了11個月，未來在達成年產18萬片碳化硅晶片后，將成為世界前十的碳化硅生產企業。
碳化硅晶片厚度僅0.5毫米（來源：山西電視臺）
中國電科（山西）碳化硅產業基地一期項目于2019年4月1日開工建設，同年9月26日封頂，據此前山西綜改示范區消息，一期項目能容納600臺碳化硅單晶生產爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產能，將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現完全自主可供。
自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。
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作者：粉體圈
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