5月7日，美國科銳（Cree）宣布了一項公司迄今為止最大的投資項目——將在5年內投資10億美元用于擴大碳化硅晶圓產能。該項目包括在美國總部的達勒姆市建造一個自動化的200mm碳化硅晶圓（即8英寸晶圓）工廠（投資4.5億美元）和一個材料超級工廠（投資4.5億美元），其余1億美元用于伴隨業務增長所需要的其他投入。

回顧2016年7月，那時科銳宣布了將核心業務為半導體的wolfspeed部門出售給英飛凌（Infineon）的決定，但因為美國海外投資委員會（CFUIS）阻撓而終止。然而這并不能阻止兩家公司半導體業務的合并，到了2018年3月，科銳反過來收購了英飛凌的射頻半導體部門。用科銳CEO的話來解釋，這可以強化公司的碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）技術領先地位，而且預期將有利于5G網絡轉型。而在收購事件的前幾天，英飛凌和科銳剛剛簽署了一份戰略協議，科銳將向英飛凌長期供應150mm碳化硅晶圓（即6英寸晶圓）。

總結就是：科銳以晶圓供應為條件，就可以收購競爭對手英飛凌的業務；與之對應的，英飛凌為了獲得功率半導體所必須的原材料，可以干脆賣掉自己的原材料業務，干脆將精力轉移到終端器件的開發上。

通過上述事件的回顧，很容易理解碳化硅晶圓（6英寸或以上）到底有多重要。

β-SiC晶體結構示意圖

據粉體圈了解，制備碳化硅晶圓要求高純碳化硅原材料，包括對硼、氮等元素極為敏感；其次，需要立方碳化硅（即β-SiC）以獲得優良的熱導率和低膨脹系數等；并且對碳化硅顆粒粒徑有一定要求（需要粒徑0.1-1mm的大顆粒而不是小顆粒團聚粉），等等。

諸多限制就造成了目前碳化硅晶圓制備門檻極高的現狀，這也是科銳碳化硅晶圓占據全球1/3以上市場的根本原因，在此次10億美元投入項目建成后，科銳將大大提高其碳化硅材料和晶圓制造能力，并將在先期150mm晶圓生產基礎上實現200mm晶圓的量產。

粉體圈 整理