11月12日，硅片技術創新公司Siltectra官網宣布公司被英飛凌(Infineon)收購，這意味著英飛凌同時掌握了該公司的冷切割(Cold Spilt)技術。該技術是一種高效的晶體材料加工工藝，Siltectra稱其相比傳統工藝將提高90%的生產效率。這意味著，一旦英飛凌將把這項技術用于SiC晶圓的切割上，將使得單片晶圓可出產的芯片數量翻番。據悉，本次收購報價為1.24億歐元(1.39億美元/9.7億RMB)。

冷切割流程示意圖（來源：Siltectra）

冷切割工藝簡介：

1、專利激光技術定義材料分裂范圍；2、用專用聚合物涂覆材料；3、控制系統冷卻誘導應力精準分裂材料；4、化學清洗聚合物涂層并研磨基材。

Siltectra目前已擁有50多個專利家族的知識產權組合。與傳統工藝相比，這家初創公司開發的冷切割技術是一種低損高效的晶體材料分解技術，并且該技術也可以應用于半導體材料SiC。如今，SiC產品已經用于非常高效和緊湊的太陽能逆變器中。未來，SiC將在電動汽車中發揮越來越重要的作用。冷切割技術將在德國的Siltectra工廠和奧地利的英飛凌工廠實現工業化。預計將在未來五年內完成向批量生產的轉移。

英飛凌提供最廣泛的基于硅的功率半導體產品組合以及碳化硅和氮化鎵的創新基板。它是全球唯一一家在300毫米晶圓上批量生產的公司。長遠來看，冷切割技術將有助于確保SiC產品的供應。后續，冷切割技術有望得到更廣泛的應用，比如晶錠分割、或用于SiC之外的材料。

對于此次收購，英飛凌CEO，ReinhardPloss博士表示：“此次收購有助于我們利用SiC新材料，并拓展我司優秀的產品組合。我們對薄晶圓技術的系統理解和獨特的專業知識，將與Siltectra的創新能力和冷切割技術相輔相成。”

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