立方碳化硅，又稱為β-SiC，屬立方晶系（金剛石晶型），相對于常見的碳化硅微粉α-SiC（黑碳化硅和綠碳化硅）有著獨特的優勢。比如在拋光研磨領域的應用，β-SiC銳利的棱角可以提升拋光效率；在高端特種陶瓷的制備領域，添加β-SiC可以提升陶瓷的燒結活性。國內企業西科博爾科技有限責任公司采用自主專利的多熱源爐生產出高純度、高密度、高結晶性、高均勻性的四高特點的β-SiC，可代替國內進口的高端碳化硅產品。

近日，粉體圈小編了解到中國科學院理化技術研究所的一項突破性碳化硅粉體制備技術，由該所功能陶瓷材料研究組李江濤、劉光華、楊增朝等研究人員組成的團隊，通過低成本燃燒合成了納米β-SiC粉體。

燃燒合成納米β-SiC粉體技術路線圖

該技術的突出特點是：

1、單套設備（核心設備）投資約50萬元，功耗約1千瓦。

2、單臺設備單次合成量約為30公斤，合成周期約3h。

對比，相對于傳統的艾奇遜法冶煉碳化硅，冶煉1噸黑碳化硅需要 6000 度到 7000 度電，冶煉 1 噸綠碳化硅需要 8000 度到 9000 度電。而燃燒合成納米立方碳化硅（β-SiC）粉體對電能的消耗幾乎是零。

燃燒合成納米β-SiC粉體的形貌及其他特征參數

電鏡下的納米碳化硅粉體

燃燒合成制備SiC粉體的相組成

納米β-SiC粉體的應用實例之一：陶瓷裝甲

使用中國科學院理化技術研究所制備的SiC粉體材料，添加氮化鋁和氧化釔等燒結助劑，通過熱壓燒結工藝，可以制備出性能特點如下的防彈陶瓷。

研究表明β-SiC粉體具有抗磨、耐高溫、耐熱震、耐腐蝕、耐輻射、良好的半導電特性等優良性能，可以廣泛應用高級耐火材料、特種陶瓷材料、高級磨削材料和和增強材料等領域，并且碳化硅還是第三代寬禁帶半導體材料的代表。因此，可以斷定碳化硅將會繼續以高新材料身份影響著整個科技進步的進程。

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粉體圈 作者：敬之