三菱材料公司于8月21日宣布，已經開發出一種用于半導體先進封裝工藝中放置半導體芯片的載體基板。這種方形硅基板具有高平坦度和低表面粗糙度，尺寸最大可達600mm。
圓形基板和方形基板的對比
在將多個半導體芯片（如芯粒）集成到一個封裝中以提高性能的情況下，半導體封裝工藝中常使用300mm晶圓等作為載體基板，這種工藝稱為晶圓級封裝（WLP）。然而，由于晶圓是圓形的，且封裝尺寸已擴大至約100mm見方，導致載體基板上可容納的芯片數量受到限制，面臨一些挑戰。
半導體芯片在載體基板上的搭載示意圖。通過方形化和基板尺寸的擴大，可以增加可容納的芯片數量
為了解決這一問題，正在探討使用方形的“方形化硅基板”。三菱材料公司基于這一需求，結合公司集團積累的大型硅錠鑄造技術和獨特的加工技術，開發出了大面積的方形硅基板。該公司表示，這種基板除了可作為后續工藝中的載體基板外，還有望在先進的半導體封裝中作為中介層使用。
此外，該公司還確認，將此次開發的方形硅基板用于利用玻璃面板等實現載體基板大型化的面板級封裝時，可以抑制玻璃材料因低剛性和低熱導率在形成重新布線層（RDL）時加熱過程中的偏熱和熱收縮引起的翹曲問題。他們計劃充分利用硅的高剛性和高熱導率等特性，推動其在廣泛的半導體領域中應用。
粉體圈Coco編譯
作者：粉體圈
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