三菱材料公司于8月21日宣布，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種用于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝中放置半導(dǎo)體芯片的載體基板。這種方形硅基板具有高平坦度和低表面粗糙度，尺寸最大可達(dá)600mm。

圓形基板和方形基板的對(duì)比

在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片（如芯粒）集成到一個(gè)封裝中以提高性能的情況下，半導(dǎo)體封裝工藝中常使用300mm晶圓等作為載體基板，這種工藝稱為晶圓級(jí)封裝（WLP）。然而，由于晶圓是圓形的，且封裝尺寸已擴(kuò)大至約100mm見(jiàn)方，導(dǎo)致載體基板上可容納的芯片數(shù)量受到限制，面臨一些挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體芯片在載體基板上的搭載示意圖。通過(guò)方形化和基板尺寸的擴(kuò)大，可以增加可容納的芯片數(shù)量

為了解決這一問(wèn)題，正在探討使用方形的“方形化硅基板”。三菱材料公司基于這一需求，結(jié)合公司集團(tuán)積累的大型硅錠鑄造技術(shù)和獨(dú)特的加工技術(shù)，開(kāi)發(fā)出了大面積的方形硅基板。該公司表示，這種基板除了可作為后續(xù)工藝中的載體基板外，還有望在先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝中作為中介層使用。

此外，該公司還確認(rèn)，將此次開(kāi)發(fā)的方形硅基板用于利用玻璃面板等實(shí)現(xiàn)載體基板大型化的面板級(jí)封裝時(shí)，可以抑制玻璃材料因低剛性和低熱導(dǎo)率在形成重新布線層（RDL）時(shí)加熱過(guò)程中的偏熱和熱收縮引起的翹曲問(wèn)題。他們計(jì)劃充分利用硅的高剛性和高熱導(dǎo)率等特性，推動(dòng)其在廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域中應(yīng)用。

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