美國能源部(DOE)倡導的“美國制造挑戰計劃”旨在促進美國企業家和創新者、能源部國家實驗室和私營部門之間的合作。最近，DOE電力辦公室設立了價值225萬美元的美國制造碳化硅(SiC)封裝獎，邀請參賽者提出、設計、構建和測試最先進的碳化硅半導體封裝原型，以使這些設備能夠在儲能等高壓環境中更有效地工作。
據悉，該獎項（懸賞）總獎金225萬美元，分三個階段進行：
1、設計（50萬美元，10支隊伍）——參與者將描述他們的團隊、計劃在開發 SiC 半導體封裝方面取得進展并展示任何原型。
2、原型（100萬美元，4支隊伍）——第一階段獲勝團隊將開發符合第二階段指標的SiC封裝解決方案的物理原型。團隊必須將其原型發送到國家實驗室進行測試，以驗證所達到的指標。
3、路演（75萬美元，1支隊伍）——第二階段獲勝團隊將繼續開發其SiC封裝解決方案并展示其工作原型。他們將努力實現高電壓和高電流目標，同時繼續創新以改進封裝。
美國能源部電力助理部長表示，“碳化硅半導體已成為一種成熟且廣泛使用的技術，適用于需要電力輸送的系統，特別是電動汽車充電和帶電池的太陽能系統等儲能應用中的充電和放電。但其傳統設備封裝會過熱，從而限制電子設備的性能。因此，改進的封裝可以實現更廣泛的碳化硅應用，從而推動向清潔能源的過渡。”
編譯整理 YUXI
作者：粉體圈
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