美國能源部(DOE)倡導(dǎo)的“美國制造挑戰(zhàn)計劃”旨在促進美國企業(yè)家和創(chuàng)新者、能源部國家實驗室和私營部門之間的合作。最近，DOE電力辦公室設(shè)立了價值225萬美元的美國制造碳化硅(SiC)封裝獎，邀請參賽者提出、設(shè)計、構(gòu)建和測試最先進的碳化硅半導(dǎo)體封裝原型，以使這些設(shè)備能夠在儲能等高壓環(huán)境中更有效地工作。

據(jù)悉，該獎項（懸賞）總獎金225萬美元，分三個階段進行：

1、設(shè)計（50萬美元，10支隊伍）——參與者將描述他們的團隊、計劃在開發(fā) SiC 半導(dǎo)體封裝方面取得進展并展示任何原型。

2、原型（100萬美元，4支隊伍）——第一階段獲勝團隊將開發(fā)符合第二階段指標的SiC封裝解決方案的物理原型。團隊必須將其原型發(fā)送到國家實驗室進行測試，以驗證所達到的指標。

3、路演（75萬美元，1支隊伍）——第二階段獲勝團隊將繼續(xù)開發(fā)其SiC封裝解決方案并展示其工作原型。他們將努力實現(xiàn)高電壓和高電流目標，同時繼續(xù)創(chuàng)新以改進封裝。

美國能源部電力助理部長表示，“碳化硅半導(dǎo)體已成為一種成熟且廣泛使用的技術(shù)，適用于需要電力輸送的系統(tǒng)，特別是電動汽車充電和帶電池的太陽能系統(tǒng)等儲能應(yīng)用中的充電和放電。但其傳統(tǒng)設(shè)備封裝會過熱，從而限制電子設(shè)備的性能。因此，改進的封裝可以實現(xiàn)更廣泛的碳化硅應(yīng)用，從而推動向清潔能源的過渡。”

編譯整理 YUXI