9月5日，昭和電工（Showa Denko KK，SDK）宣布開始使用自己生產(chǎn)的碳化硅單晶襯底制造并向客戶提供用于碳化硅功率半導(dǎo)體的200mmSiC外延片（SiC epi-wafers）。

直徑150mm和200mm的碳化硅外延片（圖片來源：SDK）

與傳統(tǒng)的基于硅晶片的功率半導(dǎo)體相比，碳化硅功率半導(dǎo)體降低了功率損耗并散發(fā)出更少的熱量，從而節(jié)省了能源。因此，SiC功率半導(dǎo)體市場正在迅速擴(kuò)大，特別是在電動汽車用功率器件和可再生能源發(fā)電領(lǐng)域。SiC功率半導(dǎo)體的性能受SiC外延片質(zhì)量的影響很大。因此，SiC外延片制造商有必要使外延片具有低表面缺陷密度和穩(wěn)定的質(zhì)量。目前，SiC功率半導(dǎo)體主要由直徑為150mm（6英寸）的SiC外延片制造。

SiC外延晶片的直徑越大，功率器件制造商可以生產(chǎn)的SiC功率半導(dǎo)體芯片就越多。為應(yīng)對這樣的市場需求，SDK從2021年開始加快200mm SiC外延片的開發(fā)，此次開始出貨由自產(chǎn)單晶SiC晶圓制成的SiC外延片樣品。SDK已作為獨(dú)立供應(yīng)商在全球SiC外延片市場占有領(lǐng)先地位。SDK的目標(biāo)是進(jìn)一步增加200mmSiC外延晶圓的產(chǎn)量，建立穩(wěn)定的晶圓生產(chǎn)系統(tǒng)，并通過從合作公司采購SiC晶圓和開發(fā)使用內(nèi)部制造的單晶SiC晶圓的產(chǎn)品來提高其質(zhì)量；并將繼續(xù)進(jìn)行研究和以到 2030 年開發(fā)直徑為200mm的SiC外延晶片并將缺陷密度降低一位數(shù)以上為目標(biāo)的開發(fā)活動。

編譯整理 YUXI

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