不知道各位朋友對去年六月的一個(gè)新聞有沒有印象，當(dāng)時(shí)日本半導(dǎo)體企業(yè)Novel Crystal Technology（NCT）在全球范圍內(nèi)首次成功量產(chǎn)了100mm（4英寸）的β型氧化鎵100mm外延片，這使得在100mm生產(chǎn)線上制造氧化鎵功率器件成為可能。

關(guān)于氮化鎵

氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，禁帶寬度Eg＝4.9eV，大于硅，氮化鎵和碳化硅，因此在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，尤其是高功率應(yīng)用領(lǐng)域。目前氮化鎵被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片等，這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。

而在今年三月，NCT又出新招。它們在新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)的“戰(zhàn)略性節(jié)能技術(shù)創(chuàng)新計(jì)劃”中，與佐賀大學(xué)合作開發(fā)了第三代氧化鎵100mm外延片，重點(diǎn)改良了外延晶圓制造技術(shù)，將阻礙氧化鎵功率器件大電流化的耐壓特性劣化的缺陷降低到了以前的十分之一。

用100mm外延片試制的肖特基二極管，最大芯片尺寸為10mm×10mm

本次研發(fā)成果使得氧化鎵功率半導(dǎo)體器件在電車、工業(yè)設(shè)備、電動汽車等需要100A級功率半導(dǎo)體器件的市場上的廣泛部署成為可能，在節(jié)約能源的同時(shí)，在實(shí)現(xiàn)碳中和能源方面也能取得了重大進(jìn)展——據(jù)統(tǒng)計(jì)，到2030年若按原油計(jì)算，其節(jié)能效果將達(dá)到每年10萬千升以上。

總而言之，氮化鎵的實(shí)用商業(yè)化之路又朝往前進(jìn)了一大步，非常值得期待！

來源：NEDO

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