不知道各位朋友對去年六月的一個新聞有沒有印象，當時日本半導體企業Novel Crystal Technology（NCT）在全球范圍內首次成功量產了100mm（4英寸）的β型氧化鎵100mm外延片，這使得在100mm生產線上制造氧化鎵功率器件成為可能。

關于氮化鎵

氧化鎵是一種寬禁帶半導體，其導電性能和發光特性良好，禁帶寬度Eg＝4.9eV，大于硅，氮化鎵和碳化硅，因此在光電子器件方面有廣闊的應用前景，尤其是高功率應用領域。目前氮化鎵被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片等，這些是氧化鎵的傳統應用領域，最有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。

而在今年三月，NCT又出新招。它們在新能源產業技術綜合開發機構的“戰略性節能技術創新計劃”中，與佐賀大學合作開發了第三代氧化鎵100mm外延片，重點改良了外延晶圓制造技術，將阻礙氧化鎵功率器件大電流化的耐壓特性劣化的缺陷降低到了以前的十分之一。

用100mm外延片試制的肖特基二極管，最大芯片尺寸為10mm×10mm

本次研發成果使得氧化鎵功率半導體器件在電車、工業設備、電動汽車等需要100A級功率半導體器件的市場上的廣泛部署成為可能，在節約能源的同時，在實現碳中和能源方面也能取得了重大進展——據統計，到2030年若按原油計算，其節能效果將達到每年10萬千升以上。

總而言之，氮化鎵的實用商業化之路又朝往前進了一大步，非常值得期待！

來源：NEDO

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