基于碳化硅的電力電子器件已廣泛地應用于航空航天、新能源汽車、軌道交通、光伏發電、智能電網等領域。當前主流的碳化硅單晶與外延生長還處于6英寸階段，擴大尺寸成為產業鏈降本增效的主要路徑，然而在邁向8英寸過程中還存在諸多技術難題。
據廈大物理3月17日公布，廈門大學與瀚天天成電子科技(廈門)有限公司等單位產學研合作，成功實現基于國產襯底的8英寸（200mm）碳化硅（SiC）同質外延生長。
外延層厚度為12μm，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×1015cm-3，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm-2。
廈門大學長期致力于III族氮化物、碳化硅等寬禁帶半導體的研究，多年來不斷促進我國寬禁帶半導體的發展，為產業培養了大批的創新人才。廈門大學科研團隊負責人表示，通過克服了8英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現了基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。
參考來源：廈大物理
作者：粉體圈
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