據上海證券交易所公示信息，碳化硅襯底材料企業山東天岳先進科技股份有限公司科創板IPO申請已獲得受理。根據招股書顯示，山東天岳擬募集資金20億元，將主要用于碳化硅半導體材料項目，以提高公司碳化硅襯底的產業化能力。而早在2019年，華為旗下哈勃投資入股山東天岳，獲得10%的股權，雖然之后股權溢價被稀釋到了7.049%，但目前仍是山東天岳的第四大股東。

據悉，項目總投資25億元，擬投入募集資金20億元，內容包括但不限于新建生產廠房、配電和倉儲設施，引進國內外先進的生產設備，儲備生產所需的碳粉、石墨件等關鍵原材料，聘請工程師、專家及其他技術人才，最終形成數字化和自動化生產線。

Gree正在量產8英寸襯底路上，而國內還未實現6英寸量產

山東天岳產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底生長氮化鎵外延并制備的GaN-ON-SIC外延片，可制成HEMT等微波射頻器件，應用于信息通訊、無線電探測等領域；導電型碳化硅襯底生長碳化硅外延并制備同質外延片，則可制成肖特基二極管、MOSFET等功率器件，應用于新能源汽車、軌道交通以及大功率傳輸變電等。

目前，山東天岳主要產品是4英寸半絕緣型碳化硅襯底，6英寸半絕緣型和6英寸導電型襯底還未量產，這與業內龍頭科銳Gree量產6英寸，正在建設8英寸量產工廠的水平存在不小差距。正因此，招股書中提到，全球碳化硅半導體產業市場快速發展并已迎來爆發期，國際巨頭紛紛加大投 入實施擴產計劃。為了追趕與頭部企業之間在產能上的差距，山東天岳擬對碳化硅半導體材料項目投資25億元，募集的20億元也將全部投入該項目。

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