氮化鋁（AlN）是第三代半導體材料的典型代表之一，又是這些材料中的直接帶隙中禁帶寬度（6.2eV）最寬的一個，同時具備了極為優良的光、電、聲、機械性質，目前已經表現出極其廣闊的應用前景和難以估量的巨大經濟效益，其中最被看好的應用包括更高電壓的功率元件以及（深）紫外LED與鐳射二極管等。

不過與商業化更為成熟的SiC相比，AlN在單晶生長及其襯底制備上的技術難度高出得不是一點半點，不僅更復雜，而且成本也更高——可以說，缺乏足夠大和高質量的單晶就是限制AlN發展的主要原因之一。截至目前為止，世界各國已經為生長大尺寸氮化鋁單晶作了近50年的努力，其中物理氣相沉積法被公認為生長塊狀氮化鋁單晶的唯一方法。

現在全球范圍內有能力生長出2英寸AlN單晶的企業/研發機構非常有限，奧趨光電技術（杭州）有限公司（以下簡稱“奧趨光電”）正是其中的佼佼者。就在去年于日本橫濱舉行的LED 工業應用國際會議( LEDIA-2019) 上，奧趨光電推出了直徑60 mm 氮化鋁單晶及晶圓，該晶圓為迄今為止國內外見諸報道的最大尺寸氮化鋁晶圓。

直徑60 mm氮化鋁單晶襯底

盡管現階段市場仍尚未大量導入AlN相關元器件產品，但隨著近年來光電子器件領域的快速發展，高功率紫外LED芯片對AlN單晶襯底的巨大需求還是有望被引爆的，因此加緊對AlN晶體的生長工藝的研究具有現實意義。在1月6-8日于廣東珠海舉辦的“2021全國高純粉體與晶體材料創新發展論壇”上，來自上海大學材料科學與工程學院 、奧趨光電技術（杭州）有限公司的吳亮教授將分享題為《高質量、大尺寸AlN單晶生長及其應用前景展望》的報告，感興趣的話就別錯過了哦！

個人簡介

吳亮教授，“東方學者”特聘教授、博士生導師，分別畢業于比利時天主教魯汶大學、清華大學及大連理工大學，獲工學博士、工學碩士及本科學位，奧趨光電技術（杭州）有限公司創始人、CEO。。長期從事半導體、光伏/LED晶體材料模擬仿真技術、晶體生長設備及其生長工藝與缺陷的研究開發。是全球知名晶體生長模擬仿真軟件FEMAG的核心開發人員之一、知名網格生成軟件poly2tri作者；Elsevier Journal of Crystal Growth 客座編輯（guest editor）；PV Japan-2011 大會全員特邀演講嘉賓（Plenary keynote speaker）；SEMI全球協會Semi China光伏材料學術委員會成員，光伏材料分會主席；主要研究方向：晶體生長設備、熱場設計與工藝；磁場對晶體生長過程的影響及其耦合技術；晶體生長過程的微觀缺陷形成機理及其傳輸機制。有限元非結構化網格自動生成；晶體生長工藝過程的全局計算機模擬、仿真與工藝優化等

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