7月8日美通社報道，美國HexaTech公司宣布推出優化版本氮極性氮化鋁（N-polar AlN）襯底——相比傳統的鋁極性（Al-polar）外延生長，氮極性面有望帶來顯著的性能提升。此項全新氮極性工藝可應用于HexaTech所有標準2英寸直徑襯底產品。
作為超寬禁帶半導體材料，單晶氮化鋁襯底在光電領域優勢顯著，基于其進行高功率半導體器件開發，在深紫外LED消毒、高效電力轉換開關，以及衛星通信射頻組件等領域應用極具優勢。Hexatech公司透露，這項N極過程技術已經開發了一年多，可以直接按直徑和體積擴展，并且很好地與HexaTech之前宣布的100毫米擴展計劃相契合，該計劃部分得到了美國國防部DARPA UWBGS計劃的支持。
鋁極性更穩定，但電子移動受限，因此更適用于常規器件。N極性晶體生長難度更高，須解決表面氧化和缺陷等問題，但導熱更好，絕緣性更好，高頻性能更好。作為全球領先的單晶物理氣相傳輸（PVT）生長的氮化鋁（AlN）襯底商業供應商，HexaTech再次推動前沿產品能力，以滿足客戶的需要。
編譯整理 YUXI
作者：粉體圈
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