7月14日，昭和電工（SDK）宣布開始供應半導體器件用耐潮導熱氮化鋁填料樣品。據評測結果顯示，相比未經改性的氮化鋁粉體，經過表面處理后粉體水解釋放的氨氣大幅減少，降至萬分之一。
氮化鋁導熱系數高，并且具備高絕緣性、與硅幾乎相同的熱膨脹系數以及對用于生產半導體的氯化氣體的耐腐蝕性。但是，如果水分附著在氮化鋁表面，會發生水解反應，產生腐蝕性的氨氣。
ALN+3H2O=AL（OH）3+NH3
半導體大功率和小型化趨勢下，散熱需求成為重點研究方向。因此，相比氧化鋁材料、氮化硼等，更高導熱系數的氮化鋁材料前景廣闊。
SDK成功地開發出了一種用超薄薄膜處理氮化鋁表面的技術制備具有優異的耐濕性和高導熱性的氮化鋁填料，并且這種表面處理不會降低注入樹脂的氮化鋁填料的熱導率。現階段SDK開始提供樣品，并計劃在2023年開始批量生產。結合其目前已有的氧化鋁和氮化硼填料產品，提供更全面的導熱填料產品。
粉體圈 編譯 YUXI
作者：粉體圈
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