5月19日，中科鋼研節(jié)能科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)中科鋼研）碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在京正式啟動(dòng)。項(xiàng)目意義在于我國(guó)高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)的研發(fā)取得了突破性進(jìn)展。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現(xiàn)，成為當(dāng)今最受關(guān)注的新型半導(dǎo)體材料之一。采用碳化硅材料制成的電力電子元件可工作于極端環(huán)境和惡劣環(huán)境下，特別適用于軍用武器系統(tǒng)、航空航天、石油地質(zhì)勘探、高速鐵路、新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用領(lǐng)域。

中科鋼研選擇了升華法和高溫化學(xué)氣相沉積法兩種長(zhǎng)晶技術(shù)作為研發(fā)方向，快速掌握了高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅長(zhǎng)晶工藝技術(shù)及其裝備。目前中科鋼研與上海大革智能科技有限公司等單位聯(lián)合研發(fā)的升華法4英寸導(dǎo)電性碳化硅晶體長(zhǎng)晶生產(chǎn)過(guò)程穩(wěn)定，裝備自動(dòng)化程度高，獲得了高品質(zhì)、大規(guī)格的碳化硅晶體。

未來(lái)三年，中科鋼研將突破6英寸“高品質(zhì)、低成本”導(dǎo)電型碳化硅晶體升華法長(zhǎng)晶工藝及裝備、4英寸無(wú)摻雜高純半絕緣碳化硅晶體高溫化學(xué)氣相沉積法長(zhǎng)晶工藝及裝備，并達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用水平，將聯(lián)合國(guó)宏華業(yè)投資有限公司等4至5家已取得共識(shí)的合作單位通過(guò)全國(guó)布局投資30億人民幣，打造國(guó)內(nèi)最大的碳化硅晶體襯底片生產(chǎn)基地。

參考來(lái)源：中國(guó)網(wǎng)