最近，傳統材料企業立中合金集團（立中集團）聯合北京大學推進全球首個ALN（氮化鋁）多晶復合襯底項目引起科技和新材料領域關注，這不僅是企業轉型動作，同時也是半導體材料的重大創新，更是突破高性能半導體襯底材料的“卡脖子”技術，實現國產替代并降低成本的潛力方向。
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旭化成氮化鋁晶圓
現階段傳統藍寶石襯底（PSS）存在導熱性不足、成本高等問題，而ALN襯底憑借高熱導率（理論值320 W/m·K）、低熱膨脹系數和高絕緣性，成為功率器件、射頻器件的理想選擇。但是單晶ALN存在生長難度大，成本高的問題。
本次聯合推進項目由立中集團參投的保定中創燕園半導體科技有限公司與北京大學聯合開發，專注于第三代半導體關鍵材料技術及應用，項目的解決思路是聚焦多晶復合結構，通過優化晶界調控和界面結合技術，兼顧氮化鋁襯底的性能提升與規模化生產經濟性。而多晶工藝多原材料要求（純度為主）相對寬松，采用留言發連續生產也將節能降耗，據悉相比單晶ALN襯底，多晶復合襯底的生產成本可降低30%-50%。
多晶復合襯底實現產業化，產品熱導率將接近單晶ALN，部分性能甚至優于單晶ALN。屆時將在新能源汽車電控系統、光伏逆變器、5G基站、衛星通信、半導體設備和AI光電器件等場景擁有較大應用潛力。
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作者：粉體圈
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