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氮化硅材料的合成及應(yīng)用簡介

發(fā)布時間 | 2017-02-17 09:30 分類 | 粉體應(yīng)用技術(shù) 點擊量 | 13842
硅微粉 氮化硅 氧化硅
導讀:氮化硅(Si3N4)是一種重要的結(jié)構(gòu)材料,它是一種超硬物質(zhì),本身具有潤滑性,并且耐磨損;是一種氮原子與硅原子比例為4:3的共價鍵化合物,為原子晶體,是一種六方晶體結(jié)構(gòu);除氫氟酸外,它不與其...

氮化硅Si3N4)是一種重要的結(jié)構(gòu)材料,它是一種超硬物質(zhì),本身具有潤滑性,并且耐磨損;是一種氮原子與硅原子比例為4:3的共價鍵化合物,為原子晶體,是一種六方晶體結(jié)構(gòu);除氫氟酸外,它不與其它無機酸反應(yīng),抗腐蝕能力強高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會碎裂。具體到物理性能方面,氮化硅材料具有硬度高、耐磨損、彈性模量大、強度高、耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、導熱系數(shù)大、抗熱震性好、密度低、表面摩擦系數(shù)小、電絕緣性能好等特點而化學性能方面,它還有耐腐蝕、抗氧化等優(yōu)點。氮化硅在正常條件下一般認為有兩種同素異構(gòu)體,即α相和β相。α相一個晶胞為Si12N16,而β相一個晶胞為Si6N8。

 

1 (a) Si3N4四面體結(jié)構(gòu);(b)Si3N4四面體結(jié)合而成的立體六元環(huán)

 

1. 氮化硅的合成

目前世界上研究最多的氮化硅的制備方法主要有碳熱還原法、硅粉直接氮化法、鹵化硅氨解法以及低氨氣壓下燃燒合成法、氣相反應(yīng)法等。接下來為大家介紹一下碳熱還原法、硅粉直接氮化法和鹵化硅氨解法。

 

1.1 碳熱還原法

SiO2碳熱還原氮化法制備Si3N4粉體,是將SiO2細粉與碳粉混合后,通過熱還原生成SiC,然后SiC再被氮化生成納米氮化硅顆粒。反應(yīng)方程式如下所示:

 

 

上述方程式表示的反應(yīng)屬氣固相反應(yīng),反應(yīng)速度比較慢,反應(yīng)過程相對復雜,除上述總過程外還有許多中間過程首先是形成SiO(g),形成的SiO(g)再與N2反應(yīng)生成SiN4。

 

在生產(chǎn)工藝上則是利用SiO2和過量的碳細粉反應(yīng),并控制反應(yīng)溫度,在1350~1480℃進行氮化;最后則是過量的碳粉在空氣中進行熱處理(600~700℃)后形成CO氣體被除去。

 

2 碳熱還原法制備氮化硅的設(shè)備示意圖

 

碳熱還原法利用了自然界中十分豐富的二氧化硅做為原料,特別適宜大規(guī)模生產(chǎn)氮化硅微粉,反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)熱處理后為疏松粉末,粉體形狀規(guī)則,粒徑分布窄,無需再進行粉碎處理;缺點是雜質(zhì)含量高,且以氮氣作為反應(yīng)物反應(yīng)速度比較慢,而在氨氣氣氛中合成反應(yīng)要比氮氣氣氛中快得多。

 

1.2硅粉直接氮化法

硅粉直接氮化法主要是指純凈硅粉在N2、N2+H2NH3的還原性氣氛中發(fā)生反應(yīng),生成氮化硅微粉。根據(jù)反應(yīng)過程中反應(yīng)溫度的差異,反應(yīng)方程式如下所示:

 

 

此種方法在較低溫度下得到的產(chǎn)物是α-Si3N4β-Si3N4的混合物,高溫下得到的只有β-Si3N4。硅粉直接氮化法對硅粉粒徑要求較高,而且反應(yīng)溫度較高,對反應(yīng)設(shè)備的耐高溫耐高壓性能也提出了較高的要求。因此,硅粉直接氮化法質(zhì)量的進一步提高主要取決于碾磨機性能的提高和單質(zhì)硅性質(zhì)的改善。而由此方法發(fā)展起來的自蔓延高溫合成(SHS)為硅粉直接氮化法提供了一個新的方向。

 

1.3 鹵化硅氨解法

鹵化硅氨解法是指(1)硅的鹵化物(SiCl4SiBr等)或硅的氫鹵化物(SiHCl3、SiH2Cl2、SiHI等)與氨氣或者氮氣發(fā)生化學氣相反應(yīng),生成氮化硅;或者(2)在低溫下先由硅的鹵化物或氫鹵化物生成硅亞胺,再由硅亞胺加熱分解得到氮化硅。兩種反應(yīng)方法的反應(yīng)方程式如下所示:


 

因為(1)中反應(yīng)物是鹵化硅和氨氣,又是在氣相中反應(yīng),所以通??梢灾频酶呒兊摩?Si3N4或無定形氮化硅粉末。而(2)反應(yīng)的關(guān)鍵是要制得純的硅亞胺,通過硅亞胺的熱分解可以直接制得很純的α-Si3N4粉末;反應(yīng)速度也比較快,至今已開始應(yīng)用于生產(chǎn)非晶氮化硅薄膜。如果作為合成氮化硅微晶的方法,此路徑相對比較長,且需要低溫條件。

 

2. 氮化硅的應(yīng)用

氮化硅因其優(yōu)越的力學、化學、電學、光學和熱學性質(zhì)而被廣泛地應(yīng)用。氮化硅的高強熱穩(wěn)、容許高濃度攙雜等特點,使其可來制備在高溫、高輻射環(huán)境下工作的電學/光學器件;它的高強、抗熱沖擊且具有極高化學穩(wěn)定性,使其可作為優(yōu)良的耐火材料;而它的高強、耐磨等特點,使其可廣泛地被用作抗壓抗磨損器件等。

 

3 氮化硅陶瓷的應(yīng)用

 

傳統(tǒng)的氮化硅陶瓷由大顆粒、多相粉體燒結(jié)制成,所以其脆性大、均勻性差、可靠性低、韌性和強度很差,在應(yīng)用上受到了較大限制。納米氮化硅具有以下特性:極小粒徑、大比表面積和較高化學性能,可顯著提高氮化硅陶瓷在燒結(jié)過程中的致密化程度,降低燒結(jié)溫度,節(jié)能能源;并且可使氮化硅陶瓷的組成結(jié)構(gòu)均勻化,改善材料的性能,提高其使用可靠性;還可以從納米的層次上控制材料的成分和結(jié)構(gòu),有利于充分發(fā)揮氮化硅陶瓷材料的潛在性能。因此,利用納米技術(shù)開發(fā)的納米氮化硅陶瓷材料,使得其的強度、韌性和超塑性大幅度提高,克服了其作為工程陶瓷的許多不足,開拓了工程陶瓷應(yīng)用的新領(lǐng)域。

 

作者:劉洋

 

參考文獻:

[1]張亞光.髙性能氮化硅陶瓷粉體研究[D].浙江大學,2015.

[2]洪軍,何艷陽,陳易明等.納米氮化硅粉體的制備[J].佛山陶瓷,2007,17(6):11-12.

[3]王百年.納米氮化硅、氮化碳及碳材料的合成方法探索[D].中國科學技術(shù)大學,2009.


作者:粉體圈

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