6月13日，專注于碳化硅襯底的制備技術的山東天岳先進科技股份有限公司在投資者互動平臺表示，他們已成功研發出2~6英寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。

近年來，受益于新能源汽車、光伏逆變、儲能、5G、快充等應用領域強勁的需求，以及政策和市場的雙重驅動，碳化硅作為第三代半導體迎來高速增長。主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、充電樁等“新基建”為代表的電力電子領域，具有廣闊可觀的市場前景。

根據公開資料顯示，天岳先進是全球少數能批量供應高質量半絕緣型碳化硅襯底的企業，已系統掌握碳化硅單晶設備的設計和制造技術、熱場仿真設計技術、高純度碳化硅粉料合成技術、不同尺寸碳化硅單晶生長的缺陷控制和電學性能控制技術、不同尺寸碳化硅襯底的切割、研磨、拋光和清洗等關鍵技術

天岳先進導電性SiC單晶襯底

較早前天岳先進已實現4英寸半絕緣型碳化硅襯底的產業化，目前也完成了6英寸導電型碳化硅襯底的研發并開始了小批量銷售。其臨港工廠新增產能將主要用于生產導電型碳化硅襯底，對應的碳化硅材料在新能源車等領域有著廣闊的應用空間，目前已通過車規級IATF16949體系的認證并實現小批量供貨。

關于天岳先進

天岳先進是我國寬禁帶半導體材料領域的領軍企業，自成立以來專注于寬禁帶碳化硅半導體襯底材料研發與生產。公司建有“碳化硅半導體材料研發技術”國家地方聯合工程研究中心、國家博士后科研工作站，擁有國際水準的研發團隊，攻克了原料提純、晶體生長、襯底加工等一系列難題，掌握碳化硅半導體材料產業化核心關鍵技術，產品性能達到國際領先水平。

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