11月6日，據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底，標(biāo)志著向以智能電網(wǎng)為代表的更高電壓領(lǐng)域邁進了一步。

針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術(shù)難題，天岳先進深化布局前瞻性技術(shù)。在備受關(guān)注的液相法領(lǐng)域，天岳先進繼2023年成功制備出全球首個8英寸碳化硅晶體后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。

液相法具有生長高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢，在長晶原理上決定了可以生長超高品質(zhì)的碳化硅晶體。天岳先進目前在液相法領(lǐng)域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內(nèi)電阻率分布均勻，結(jié)晶性良好。未來，這種高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底將極大加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，實現(xiàn)高端特高壓功率器件國產(chǎn)化。

據(jù)悉，天岳先進n型產(chǎn)品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品連續(xù)五年全球市占率排名第三。2023年，天岳先進還與英飛凌、博世等下游功率器件、汽車電子領(lǐng)域的知名企業(yè)簽署了長期合作協(xié)議。在電動汽車領(lǐng)域，天岳先進的導(dǎo)電型n型碳化硅襯底產(chǎn)品具有顯著優(yōu)勢。其車規(guī)級產(chǎn)品已經(jīng)獲得了國際客戶的認(rèn)可，并實現(xiàn)了6英寸和8英寸碳化硅導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品的批量銷售。同時，天岳先進的高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品也為高頻高輸出的射頻器件提供了優(yōu)質(zhì)的材料基礎(chǔ)，適用于5G基站射頻器件、衛(wèi)星通信等高端應(yīng)用領(lǐng)域，進一步拓展了天岳先進在碳化硅材料領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。

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