近日，在新馬工業園內，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產，一項“卡脖子”的高精尖技術，即將在株洲順利實現產業化。

SiC刻蝕環是半導體材料在等離子刻蝕環節中的關鍵耗材，在半導體芯片產業鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環節。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發展一直是我國生產制造中的薄弱環節，但因其技術壁壘高，長期被美、日、德等國所壟斷，一直是被“卡脖子”的關鍵材料之一。

碳化硅刻蝕環用于半導體刻蝕工藝

湖南德智新材料有限公司董事長柴攀表示，此次半導體用碳化硅蝕刻環項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。

2018年，德智新材落戶動力谷自主創新園。隨后，其自主設計的國內最大化學氣相沉積設備完成調試投入使用。這個設備能在高溫、高真空環境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，“德智新材”成為國內最大單晶太陽能生產企業——隆基股份等龍頭企業的供貨商，并與吉林大學、中南大學等知名高校建立長期合作關系。

“該項目對于國內外的該產品領域來說，都有著一定的前瞻性和拓展性。”業內人士分析認為，此項目技術含量高、成長能力強、經濟效益好，對突破國外的技術封鎖，進一步推動國內半導體產業轉型升級、壯大株洲經濟規模具有十分重大的意義。

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