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上硅所“超高溫陶瓷涂層材料”研究系列進(jìn)展

發(fā)布時間 | 2021-12-27 18:05 分類 | 技術(shù)前沿 點擊量 | 1299
導(dǎo)讀:具有耐極高溫、抗氧化燒蝕、長壽命等綜合性能的高溫?zé)岱雷o(hù)材料的研制,成為新型空天飛行器的關(guān)鍵技術(shù)之一。超高溫陶瓷(主要指一些過渡金屬的硼化物、碳化物和氮化物)具有大于3000℃的熔點、良...

具有耐極高溫、抗氧化燒蝕、長壽命等綜合性能的高溫?zé)岱雷o(hù)材料的研制,成為新型空天飛行器的關(guān)鍵技術(shù)之一。超高溫陶瓷(主要指一些過渡金屬的硼化物、碳化物和氮化物)具有大于3000的熔點、良好的導(dǎo)熱性能和適中的熱膨脹系數(shù),將其以涂層形式制備于纖維增強(qiáng)復(fù)合材料表面,是滿足極高溫長壽命應(yīng)用需求的主要技術(shù)途徑。

超高溫陶瓷涂層材料

上硅所鄭學(xué)斌研究員帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊根據(jù)超高溫陶瓷材料特殊的結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)特性,在涂層制備技術(shù)和組成優(yōu)化設(shè)計兩方面取得系列進(jìn)展。基于低壓/真空等離子噴涂技術(shù)和超高溫陶瓷粉體結(jié)構(gòu)控制技術(shù),設(shè)計制備了ZrB2ZrC、HfB2HfC等多種純相與復(fù)合涂層,該類陶瓷涂層的致密度達(dá)到93-97%。基于調(diào)控液相和固相氧化產(chǎn)物高溫穩(wěn)定性的設(shè)計思路,對超高溫陶瓷涂層的化學(xué)組成進(jìn)行調(diào)控,首次系統(tǒng)研究了硼化物和碳化物超高溫陶瓷涂層的抗氧化燒蝕行為的差異性,包括表面溫度變化趨勢、氧化產(chǎn)物特性和抗氧化燒蝕行為等。研究結(jié)果表明,所制備的涂層材料具有2000-2500超高溫環(huán)境有效熱防護(hù)的能力,為其實際應(yīng)用提供了科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)。

添加WB對ZrB2-MoSi2涂層長燒蝕行為的影響

Effect of WB addition on long ablation behavior of ZrB2-MoSi2  coating”(添加WB對ZrB2-MoSi2涂層長燒蝕行為的影響

地址:https://doi.org/10.1016/j.corsci.2021.109814

ZrC基和ZrB2基UHTCs涂層燒蝕行為的差異評價

“Difference evaluation on ablation behaviors of ZrC-based and ZrB2-based UHTCs coatings” ZrC基和ZrB2UHTCs涂層燒蝕行為的差異評價

地址:https://doi.org/10.1016/j.corsci.2020.109181

Yb2O3添加對不同環(huán)境下ZrB2-MoSi2復(fù)合涂層氧化/燒蝕行為的影響

“Effect of Yb2O3 addition on oxidation/ablation behaviors of ZrB2-MoSi2 composite coating under different environment”Yb2O3添加對不同環(huán)境下ZrB2-MoSi2復(fù)合涂層氧化/燒蝕行為的影響

地址:https://doi.org/10.1016/j.corsci.2020.108882

含鎢添加劑(WB/WSi2/W)對ZrB2-SiC涂層燒蝕行為的影響

“Effect of tungsten-containing additives (WB/WSi2/W) on ablation behavior of ZrB2-SiC coating” 含鎢添加劑(WB/WSi2/W)對ZrB2-SiC涂層燒蝕行為的影響

地址:https://doi.org/10.1016/j.corsci.2020.108560

ZrC-SiC-TiC三元涂層在2000℃以上環(huán)境下的長時間燒蝕行為

“Long time ablation behaviors of designed ZrC-SiC-TiC ternary coatings for environments above 2000ZrC-SiC-TiC三元涂層在2000以上環(huán)境下的長時間燒蝕行為

地址:https://doi.org/10.1016/j.corsci.2020.108645

相關(guān)成果以上述題目在腐蝕領(lǐng)域權(quán)威期刊Corrosion Science發(fā)表(192 (2021) 109814,180 (2021) 109181,175 (2020) 108882,168 (2020) 108560,170 (2020) 108645)。相關(guān)研究工作得到創(chuàng)新特區(qū)、快速扶持等國家項目的資助。論文第一作者分別為許雪廷和潘孝輝等研究生,共同通訊作者為牛亞然研究員和鄭學(xué)斌研究員。


參考來源:上硅所

作者:粉體圈

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