1月18日，浙江省紹興市諸暨市，浙江六方半導體科技有限公司（六方科技）集成電路先進制程精密零部件新材料項目（半導體托盤SiC/TaC涂層材料項目）舉行奠基儀式。

六方科技披露資料顯示，碳化硅晶圓生長熱場材料中的石墨材料與碳碳復合材料很難滿足2300℃的復雜氣氛（Si、SiC?、Si?C ）工藝。不僅使用壽命較短，不同部件一至十爐一換，而且高溫下石墨的滲析與揮發易導致碳包裹物等晶體缺陷產生。為了確保半導體晶體的高質量和穩定生長，并考慮工業化生產成本問題，在石墨件表面制備超高溫耐腐蝕陶瓷涂層，將延長石墨組件的壽命，抑制雜質遷移而提高晶體純度。而在碳化硅外延生長中，通常采用碳化硅涂層石墨基座承載并加熱單晶襯底，其使用壽命仍有待提高，并且需要定期清潔界面上的碳化硅沉積物。相比之下，碳化鉭（TaC）涂層更耐腐蝕氣氛與高溫，是此類 SiC 晶體“長大、長厚，長好”的核心技術。而半導體涂層材料作為各類芯片上道工藝的關鍵耗材，一直以來被國外領先的企業壟斷，但在全球技術競爭的大背景下，該類材料的國產化日益緊迫。

晶圓托盤：左邊的涂有TaC涂層，右邊涂有SiC涂層

六方半導體是成立于2018年的半導體涂層材料公司，以SiC涂層為切入口，并已向TaC涂層、Solid SiC領域拓展，主要產品包括應用于LED外延、第三代半導體外延、光伏領域的SiC涂層材料等。2024年第十三屆中國創新創業大賽（浙江賽區）暨第十一屆浙江省“火炬杯”創新創業大賽，六方科技展示了其在半導體涂層技術領域的最新成果。其研發的涂層產品在提升半導體器件性能、延長器件壽命等方面展現了顯著的優勢，獲得了評委和觀眾的高度評價，在激烈的競爭中脫穎而出，榮獲一等獎。

在資本市場，六方科技先后完成由立昂微、江豐電子的戰略投資，如山資本、中南創投、杭州金投投資，以及后續軒元資本、勁邦資本領投，倍特基金、立元創投的跟投，并且已有金瑞泓、晶睿科技、華燦光電、兆馳股份等30多家大客戶建立合作。

粉體圈 整理