8月24日，山西省商務廳發布公文稱，總投資175億元的第三代半導體SiC實驗室項目與陽城開發區初步達成意向性合作協議。
據披露信息，該項目核心團隊是由著名半導體技術專家組成，掌握250多個專利，覆蓋原材料制造、芯片制造、IC設計、SiP封裝等領域。項目啟動資金8000萬元，建設實驗室、測試中心、長晶房、辦公區等約2000平方米，形成月產5000片碳化硅功率芯片制造能力。8月10—13日，項目方負責人修雷明來陽城開發區考察對接，雙方初步達成意向性合作協議。
近年來，山西半導體產業快速發展，其半導體產業主要集聚在太原、忻州、長治等地，以太原中國電科（山西）電子信息創新產業園、忻州半導體產業園兩大半導體產業園為中心，初步形成了碳化硅、砷化鎵等第二/三代半導體襯底材料—芯片—封裝—應用產業鏈條。
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作者：粉體圈
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