7月5日，晶盛機電在投資者關系平臺宣稱已成功生長出6英寸碳化硅晶體，同時8英寸碳化硅晶體生長已在研發中。并且近年布局的第三代半導體材料碳化硅的研發取得關鍵進展，碳化硅外延設備已通過客戶驗證。
碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高電導率、高熱導率等優越物理特征。碳化硅襯底是寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。主要應用于以5G通信、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，具有明確且可觀的市場前景。
碳化硅襯底制作的技術門檻較高，良率低，成本較高制約其發展，導致行業的整體產能遠不及市場需求。日前組織的投資者關系活動中，浙江晶盛機電股份有限公司表示，目前國內在技術和規模上都與國際頭部企業存在很大的差距，公司近年布局的第三代半導體材料碳化硅的研發取得關鍵進展，成功生長出6英寸碳化硅晶體，公司將持續加強碳化硅長晶工藝和技術的研發和優化，并做好研產轉化，建立生長、切片、拋光測試線，在量產過程中逐步打磨產品質量，掌握純熟工藝和技術。
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作者：粉體圈
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