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嘉興總投50億IGBT功率半導體項目預計年內投產

發布時間 | 2020-07-27 15:05 分類 | 行業要聞 點擊量 | 2859
導讀:據浙江嘉興地方消息,總投資52.5億元,一期投資17.5億元,計劃建設2條IGBT芯片生產線,5條IGBT模塊封裝測試生產線,年產200萬件IGBT功率器件的“賽晶亞太IGBT功率半導體項目”正加緊施工,預計今...

據浙江嘉興地方消息,總投資52.5億元,一期投資17.5億元,計劃建設2條IGBT芯片生產線,5條IGBT模塊封裝測試生產線,年產200萬件IGBT功率器件的“賽晶亞太IGBT功率半導體項目”正加緊施工,預計今年12月投產。

IGBT外部封裝以陶瓷為主,比如采用平板壓接式封裝陶瓷模塊,這種結構的優點是能夠雙面散熱,清除了焊接熱疲勞,提高了可靠性,在大功率領域應用上有明顯優勢,缺點是每個部件必須有很好的一致性,因此對工藝的要求極高。

備注:

 

2019年初,賽晶集團啟動IGBT研發及生產項目,成立賽晶亞太負責IGBT模塊制造工作。2019年7月16日,賽晶亞太IGBT功率半導體項目正式落地嘉善。2020年6月,賽晶亞太IGBT大功率半導體項目開工。

粉體圈 整理


作者:粉體圈

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