7月20日，三安光電第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。項目總投資160億元，建設國內首條碳化硅半導體全產業鏈產線。
早在2019年11月11日，三安光電發布2019年度非公開發行A股股票預案，擬募集資金總金額不超過70億元，投入半導體研發與產業化項目。今年6月16日，三安光電公告宣布擬在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司，投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目。
據悉，占地面積1000畝的“三安光電第三代半導體產業園”主要用于建設具自主知識產權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及電子封裝產業生產基地，在長沙建設形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的碳化硅全產業鏈，包括6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET在內。預計項目48個月（4年）內完成二期項目建設并實現投產，72個月（6年）內實現達產。
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作者：粉體圈
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