據報道，中國電子科技集團公司第二研究所（中電科二所）實現了5N以上高純度的碳化硅單晶粉料量產。結合其自身碳化硅單晶生長爐的生產能力，實現了第三代碳化硅（SIC）半導體從設備到原料的完全自主生產。
高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備，要想生長出高質量的SiC單晶，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下，還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。
據悉，單晶生長爐需要達到高溫、高真空、高潔凈度的要求，目前國內只有兩家能生產單晶生長爐，中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長的溫場設計，實現可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產；他們還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術、粒度控制技術、晶型控制技術等關鍵技術，實現了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產。
注：
中國電科二所從2007年開始從事SiC單晶裝備研究，在國家相關部委的支持下，通過艱苦攻關，立足自主研發與技術引進相結合，歷時10余年，全面掌握了SiC單晶爐研制、高純粉料制備及SiC單晶生長等多項關鍵技術。
參考來源：科技日報
作者：粉體圈
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