3月14日，青島廣電新聞中心全媒體系列訪談《全市重點大項目巡禮》聚焦中科鋼研節(jié)能科技有限公司碳化硅項目，董事長張巖表示，該項目年產5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片，5千片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片，今年投產。萊西將成為我國碳化硅的主要生產基地。
碳化硅作為高精尖技術，憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現，成為當今最受關注的新型半導體材料之一。近年來，碳化硅在國內得到了較大的應用，專家普遍認為2020年下半年到2022年將是第三代半導體的爆發(fā)之年，用碳化硅取代硅產品及第二代半導體已經成為共識。中科鋼研擁有先進的4／8英寸升華法碳化硅長晶爐，4英寸高溫化學氣相沉積法碳化硅生長技術，填補了國內空白，并具備了產業(yè)化應用條件。
張巖表示，碳化硅要想在多領域應用，其價格將會成為主導因素。目前，同一級別的芯片美國產品的賣價為每片625美元，而國產的同級別芯片則為每片500美元左右。在此基礎上，中科鋼研碳化硅生產基地在原材料方面做了大量的研發(fā)工作，在降低生產成本提高合格率的前提下，可以使國產碳化硅產品的成本下降35％左右，從而使賣價降到400美元以下。由此，未來將會在新能源汽車、高鐵、電力、通訊等諸多領域實現碳化硅的大量應用。
來源：青島新聞網
作者：粉體圈
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