背景

  以碳化硅為代表的第三代高溫寬帶隙半導(dǎo)體，由于在高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等方面的突出能力，在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景。相較第一代硅半導(dǎo)體來說，碳化硅半導(dǎo)體在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低50%以上的能量損失，最高可以使裝備體積減小75%以上，對(duì)人類科技的發(fā)展具有里程碑的意義。我國的“中國制造2025”計(jì)劃中明確提出要大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

  正文

  據(jù)美國YOLE公司判斷，電子電力器件用導(dǎo)電型碳化硅襯底的需求將在2021年達(dá)到40萬片左右。而引用2018年中國材料大會(huì)(CMRS)上的數(shù)據(jù)，目前美國科銳（Cree）公司是全球最大的碳化硅襯底企業(yè)，擁有1000多臺(tái)半導(dǎo)體晶體爐，一臺(tái)的產(chǎn)能約為每年500-1000片，全年可生產(chǎn)約100萬片，考慮成品率，一年的成品約為幾十萬片。可以說，美國已經(jīng)形成了產(chǎn)業(yè)專利和產(chǎn)能的全面壟斷！

  山東國晶電子科技有限公司營銷總監(jiān)劉少晗先生告訴筆者，公司是集化學(xué)氣相沉積技術(shù)（CVD）、單晶生長技術(shù)、碳/碳、碳陶復(fù)合材料制備技術(shù)的研發(fā)、生產(chǎn)為一體的工業(yè)實(shí)體。針對(duì)碳化硅半導(dǎo)體，目前擁有包括設(shè)備在內(nèi)，可制備純度達(dá)到6N的碳化硅單晶粉體原材料，也是現(xiàn)今行業(yè)卡脖子的關(guān)鍵部分。而公司希望找到包括壓制、燒結(jié)等一系列工序在內(nèi)的后端制造企業(yè)合作，能將碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成閉環(huán)。

  無論在國家層面還是企業(yè)角度，亦或是面向藍(lán)海市場，從碳化硅單晶粉體原材料再到晶圓半導(dǎo)體制造，可以說都有足夠的理由進(jìn)入最高端產(chǎn)業(yè)的鏈條之中，這樣的機(jī)會(huì)不多，但即將在本月15號(hào)開封舉辦的碳化物技術(shù)交流會(huì)就是一個(gè)，山東國晶電子科技在這兒等著您。

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