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國碳半導體擬投資11.5億元建設全球規模最大的12英寸碳化硅光波導材料基地

發布時間 | 2025-11-25 11:15 分類 | 企業動態 點擊量 | 191
碳化硅
導讀:11月19日,深圳市國碳半導體科技(惠州市惠士康技術)有限公司(以下簡稱“國碳半導體(惠州惠士康)”)宣布,將投資11.5億元在惠州仲愷投資建設全球規模最大的12英寸碳化硅光波導材料基地。

11月19日,深圳市國碳半導體科技(惠州市惠士康技術)有限公司(以下簡稱“國碳半導體(惠州惠士康)”)宣布,將投資11.5億元在惠州仲愷投資建設全球規模最大的12英寸碳化硅光波導材料基地。


碳化硅(SiC)作為第三代半導體的核心材料,以寬禁帶(3.2 eV)、高擊穿場強(硅的10倍)、優異導熱性(硅的3.5倍)及高溫穩定性(工作溫度超600℃)等特性,在新能源汽車、工業電源等領域大放光彩。而隨著人工智能技術的爆發式增長,碳化硅的應用邊界持續拓展,比如在光學領域,碳化硅晶體憑借高折射率、高熱導率、高透光率和低損耗的特性,正逐步代替傳統玻璃基底作為AR眼鏡核心光學組件的光波導。


不過,當前球碳化硅市場仍以6英寸為主,且高端市場被國外壟斷,而國碳半導體(惠州惠士康)自2022年6月成功研發粵港澳大灣區首塊8英寸碳化硅襯底,并成為全球知名芯片公司認證的供應商后,于今年8月又成功研發出12英寸碳化硅光波導材料,成為全球少數同時掌握大尺寸導電型與高純型單晶碳化硅制備核心技術的企業之一。

據悉,國碳半導體(惠州惠士康)此次計劃投資11.5億元在惠州仲愷高新區建設年產20萬片的12英寸光學級碳化硅材料項目,建成后年產值可達36億元,將成為全球規模最大的12英寸碳化硅光波導材料基地。其中一期投資3億元,建設年產5萬片12英寸光學級碳化硅材料,1年內建成投產。產品主要包括12英寸碳化硅光波導材料和CoWoS先進封裝中介層,直接服務于AR/VR光波導鏡片、高速光通信、激光雷達以及AI芯片、GPU的2.5D/3D先進封裝,是實現下一代信息技術產業自主可控的核心基礎。


粉體圈整理

作者:粉體圈

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