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近年來，隨著具備高溫適應性和高壓耐受性的SiC（碳化硅）功率器件在電路中的廣泛應用，以及電動汽車（EV）為了縮短充電時間而要求更高電壓和大電流的電路設計，電路中使用的諧振電容器和吸收電容器對高壓耐受性的需...
10月9日，中國電子材料行業協會官網發函，《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準已通過專家立項評審，予以公示，并公開征集標準制修訂工作參與單位。歡迎有相關意見或意向的組織和個人積極參與標準制定。碳化硅(SiC)...
進入AI時代，信息量的爆發式增長使得人們對信息處理能力的需求也不斷提升。隨著摩爾定律開始逼近物理極限，集成電路技術的發展面臨著極限，電子學的瓶頸越來越凸顯，人們開始尋求更高速、更大容量的信息傳輸方案。受...
9月26日，材料科技公司NaieelTechnology宣布，氮化硼納米管BNNT工業規模生產取得里程碑式突破，這種尖端材料實現連續生產，并大幅降低生產成本，將使其工業和半導體等高端領域廣泛應用成為可能。NaieelTechnology官...
人工智能的快速發展，拉動了高速信號處理、光通信、光學傳感器等領域的建設需求。磷化銦（InP）作為具有電子遷移率高、禁帶寬度大、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高等優良特性的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，被認...
據內蒙古自治區工業和信息化廳日前發布，工信廳組織中國有色金屬工業協會對蒙泰集團年產1萬噸高鋁粉煤灰/煤矸石提取鋁硅氧化物及鋁硅合金項目進行技術成果鑒定，中國工程院柴立元、黃小衛、趙中偉三位院士以及國內有...
9月25日，在2024集成電路（無錫）創新發展大會上，上海交通大學無錫光子芯片研究院建設的國內首條薄膜鈮酸鋰光子芯片中試線在無錫濱湖區啟動。中試線正式啟用后，預計年產能達10000片晶圓，2025年第一季度將正式發布...
半導體功率器件的發展是隨著半導體材料的第一代、第二代、第三代禁帶寬度的逐漸打開以及功率密度的提高決定的。同時，隨著這些材料的進步，器件對電源系統的效率和性能提出了更高的要求，配套的磁性元器件更是在其中...
2024年9月27日，中國電子材料行業協會粉體技術分會在平頂山市河南中宜創芯發展有限公司組織召開了《晶體用高純碳化硅粉體》團體標準立項評審會。本次會議是按照國家標準委對團體標準的要求和中國電子材料行業協會《C...
AI算力的飛速發展對電源設計提出了前所未有的挑戰，特別是在大規模AI模型訓練和推理中，計算設備的功耗急劇增加。隨著AI芯片的性能不斷提升，功率密度也隨之顯著提高，例如英偉達新一代GB200顯卡單板TDP（熱設計功耗...
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2024/10/09