11月23日，希科半導(dǎo)體有限公司在蘇州納米城III期召開碳化硅（SiC）外延片投產(chǎn)發(fā)布會。該項目年產(chǎn)能可達2萬片將為園區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更強動能。

據(jù)了解，過去一年，希科半導(dǎo)體購買的國產(chǎn)外延爐調(diào)試成功，完成了合格產(chǎn)品的生產(chǎn)，同時量測機臺方面也在國內(nèi)找到了相應(yīng)的替代機型，填補了行業(yè)空白。目前公司已經(jīng)實現(xiàn)了工藝設(shè)備、量測機臺、關(guān)鍵原材料三位一體的國產(chǎn)化，完全、干凈、徹底的解決了碳化硅外延片產(chǎn)品生產(chǎn)的難題，把碳化硅外延片生產(chǎn)的供應(yīng)鏈真正做到了不再受制于國外約束；也為我國碳化硅行業(yè)開辟了一個新途徑，創(chuàng)下了一個新紀錄。

6英寸碳化硅外延晶片

當前，半導(dǎo)體設(shè)備成為中國高科技產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化的“卡脖子”環(huán)節(jié)之一，此次希科半導(dǎo)體在SiC外延片上實現(xiàn)純國產(chǎn)研發(fā)方面的突破性進展，有力提升了國內(nèi)企業(yè)振興國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心，也意味著我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈綜合實力的進一步提升。

關(guān)于希科半導(dǎo)體

希科半導(dǎo)體成立于2021年8月，坐落于蘇州納米城III區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，是一家致力于發(fā)展第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料的高科技公司。其團隊擁有多年的碳化硅外延晶片開發(fā)和量產(chǎn)制造經(jīng)驗，憑借業(yè)內(nèi)最先進的外延工藝技術(shù)和最先進的測試表征設(shè)備，為客戶提供滿足行業(yè)對低缺陷率和均勻性要求的6吋n型和p型摻雜外延晶片材料，是國內(nèi)最早從事SiC技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)人才，擁有多項發(fā)明專利和實用新型專利。

參考來源：蘇州工業(yè)園區(qū)