11月4日，全球半導(dǎo)體硅晶圓龍頭環(huán)球晶（GlobalWafers）宣布重大技術(shù)突破，其12英寸碳化硅（SiC）晶圓及方形碳化硅晶圓原型開(kāi)發(fā)正式完成，兩款產(chǎn)品均已進(jìn)入客戶送樣與驗(yàn)證階段。

圖片來(lái)源：環(huán)球晶官網(wǎng)

在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前全球碳化硅晶圓行業(yè)仍以8英寸產(chǎn)品為主流，12英寸技術(shù)尚處于產(chǎn)業(yè)化初期，公司此次直接攻克12英寸技術(shù)難關(guān)，具有里程碑意義。該產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)顯著：一方面可切割出更多芯片，大幅攤薄制造成本，為碳化硅器件大規(guī)模商業(yè)化掃清關(guān)鍵障礙；另一方面憑借優(yōu)異導(dǎo)熱性，能充分滿足電動(dòng)汽車、再生能源、高功率工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)Ω咝堋⒏吖β拭芏仍男枨蟆?/span>

此次突破源于環(huán)球晶長(zhǎng)期技術(shù)積累，公司已構(gòu)建從晶錠到成品晶圓的垂直整合體系，掌握長(zhǎng)晶、切片、研磨、拋光全制程技術(shù)。針對(duì)12英寸碳化硅晶圓的切割難題，其摒棄傳統(tǒng)激光切割方案，自主研發(fā)新型無(wú)激光切割技術(shù)，同時(shí)攻克方形晶圓配套設(shè)備、量測(cè)技術(shù)等行業(yè)痛點(diǎn)。據(jù)悉，環(huán)球晶6/8英寸碳化硅晶圓目前產(chǎn)能利用率低于50%，但已出現(xiàn)復(fù)蘇信號(hào)，公司預(yù)計(jì)2026年碳化硅市場(chǎng)市況將顯著好轉(zhuǎn)。

在產(chǎn)能布局上，環(huán)球晶全球擴(kuò)產(chǎn)同步推進(jìn)：美國(guó)德州工廠已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模生產(chǎn)，吸引英飛凌、安森美等大廠簽訂五年長(zhǎng)約；密蘇里州工廠啟動(dòng)試產(chǎn)并開(kāi)展SOI晶圓送樣，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)；歐洲意大利FAB300工廠于2025年10月正式啟用，成為歐洲少數(shù)具備全制程能力的先進(jìn)硅晶圓廠；亞洲據(jù)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)已完成，形成跨區(qū)互補(bǔ)產(chǎn)能網(wǎng)絡(luò)。業(yè)內(nèi)認(rèn)為，此次12英寸碳化硅晶圓原型成功，將助力全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)，推動(dòng)碳化硅器件成本下降與應(yīng)用普及。

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