11月4日，全球半導體硅晶圓龍頭環球晶（GlobalWafers）宣布重大技術突破，其12英寸碳化硅（SiC）晶圓及方形碳化硅晶圓原型開發正式完成，兩款產品均已進入客戶送樣與驗證階段。

圖片來源：環球晶官網

在業績說明會上，環球晶董事長徐秀蘭強調，當前全球碳化硅晶圓行業仍以8英寸產品為主流，12英寸技術尚處于產業化初期，公司此次直接攻克12英寸技術難關，具有里程碑意義。該產品核心優勢顯著：一方面可切割出更多芯片，大幅攤薄制造成本，為碳化硅器件大規模商業化掃清關鍵障礙；另一方面憑借優異導熱性，能充分滿足電動汽車、再生能源、高功率工業電源等領域對高效能、高功率密度元件的需求。

此次突破源于環球晶長期技術積累，公司已構建從晶錠到成品晶圓的垂直整合體系，掌握長晶、切片、研磨、拋光全制程技術。針對12英寸碳化硅晶圓的切割難題，其摒棄傳統激光切割方案，自主研發新型無激光切割技術，同時攻克方形晶圓配套設備、量測技術等行業痛點。據悉，環球晶6/8英寸碳化硅晶圓目前產能利用率低于50%，但已出現復蘇信號，公司預計2026年碳化硅市場市況將顯著好轉。

在產能布局上，環球晶全球擴產同步推進：美國德州工廠已實現小規模生產，吸引英飛凌、安森美等大廠簽訂五年長約；密蘇里州工廠啟動試產并開展SOI晶圓送樣，預計2026年量產；歐洲意大利FAB300工廠于2025年10月正式啟用，成為歐洲少數具備全制程能力的先進硅晶圓廠；亞洲據點擴產已完成，形成跨區互補產能網絡。業內認為，此次12英寸碳化硅晶圓原型成功，將助力全球功率半導體產業升級，推動碳化硅器件成本下降與應用普及。

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