晶盛機電宣布成功制備8英寸碳化硅晶體

發布時間 | 2022-09-02 16:53 分類 | 技術前沿點擊量 | 656

碳化硅

導讀：8月29日，據悉晶盛機電在電話會議上宣布，近日已成功生長出行業領先的8英寸碳化硅晶體，并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環節的研發實驗線，實驗線產品已通過下游部分客戶驗證，公司將...

8月29日，據悉晶盛機電在電話會議上宣布，近日已成功生長出行業領先的8英寸碳化硅晶體，并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環節的研發實驗線，實驗線產品已通過下游部分客戶驗證，公司將持續加強技術創新和工藝積累，實現大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控，進一步提升公司在第三代半導體材料端的競爭力。

8月12日，首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐（來源：晶盛機電）

碳化硅襯底是寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。主要應用于以5G通信、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，具有明確且可觀的市場前景。但是，“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”的碳化硅，對生產工藝有著極其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業的“卡脖子”技術。

去年7月，晶盛機電宣布成功生長出6英寸碳化硅晶體，同時8英寸碳化硅晶體生長已在研發中，同時將持續加強碳化硅長晶工藝和技術的研發和優化，并做好研產轉化，建立生長、切片、拋光測試線，在量產過程中逐步打磨產品質量，掌握純熟工藝和技術。此次8英寸碳化硅晶體的成功制備，是晶盛在寬禁帶半導體領域取得的又一標志性成果。

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