天域半導體與高意集團簽訂1億美元6英寸碳化硅基板合同

發布時間 | 2022-08-18 17:15 分類 | 企業動態點擊量 | 681

碳化硅

導讀：8月17日，高意集團（II‐VI）宣布，已與東莞天域半導體簽訂1億美元訂單，向后者供應碳化硅（SiC）6英寸襯底，從本季度開始到2023年底交付。

8月17日，高意集團（II‐VI）宣布，已與東莞天域半導體簽訂1億美元訂單，向后者供應碳化硅（SiC）6英寸襯底，從本季度開始到2023年底交付。

交通基礎設施和工業設備的電氣化正在加速市場向基于第三代或寬帶隙半導體碳化硅(SiC)的電力電子產品過渡。與最先進的硅基器件相比，碳化硅使電力電子器件更小、更高效，系統級總擁有成本更低。天域公司是中國最早和最大的SiC外延片制造商之一。該公司已經與II-VI簽訂了一份長期供應合同，以確保150毫米SiC基片的產能，滿足其2023年的需求。

為滿足亞洲市場需求，II-VI于2021年在中國福州的II-VI"亞洲地區總部 "建立了一條SiC基片的后端加工生產線，其潔凈室面積超過50,000平方英尺。天宇公司將受益于II-VI在美國和中國的150毫米SiC全球產能。

天域公司和II-VI將提供高質量和可靠的供應鏈和未來200毫米的能力，支持電動汽車(EVs)、可再生能源、智能電網、微電網和數據網絡電源等大型市場需求，這對SiC電力電子的快速增長至關重要。天域公司已做好準備，為中國電動汽車的電力電子市場提供服務。

來源：訊石光