據(jù)外媒報道，密歇根大學的一個研究小組開發(fā)出了第一種可靠的、可擴展的在石墨烯上生長單層六方氮化硼（hBN）的方法，這一發(fā)現(xiàn)被認為可以加速對下一代電子器件和 LED 器件的研究。目前這一研究成果已在《先進材料》雜志上發(fā)布。

該研究的通訊作者、密歇根大學電氣工程和計算機科學教授Zetian Mi說，石墨烯-hBN結(jié)構(gòu)可幫助LED產(chǎn)生深紫外線，制成的深紫外線發(fā)光二極管可讓各種設(shè)備，如激光器和空氣凈化器獲得更小的尺寸和更高的效率。

已知，hBN是世界上最薄的絕緣體，而石墨烯則是最薄的半金屬材料——由于半金屬具有高度可塑性的電學性質(zhì)，因此在計算機和其他電子學中扮演重要角色。若在光滑的單原子厚層中將 hBN 和石墨烯結(jié)合在一起，則能釋放出許多奇異的性質(zhì)。

從報道中我們可得知，科學家是利用分子束外延來生產(chǎn)大片的高質(zhì)量hBN。“在過去，獲得研究所需的hBN薄片的唯一方法是從一個更大的氮化硼晶體上物理剝落它們，這是勞動密集型的，只能產(chǎn)生微小的片狀物質(zhì)，”Mi說。“但我們的工藝可以生長出任何尺寸的原子級薄片，可以說開啟了許多令人興奮的研究可能性。”

因為石墨烯和 hBN 非常薄，它們可以用來制造比現(xiàn)在的更小、更節(jié)能的電子設(shè)備。另外石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)也可以在量子計算設(shè)備中儲存信息，比如從導體轉(zhuǎn)換到絕緣體或者支持不尋常的電子自旋。因此除了深紫外LED，石墨烯-hBN結(jié)構(gòu)還有望用于量子計算設(shè)備，以及體積更小、效率更高的電子學、光電子學及其他應(yīng)用設(shè)備。

來源：phys.org

粉體圈Coco編譯

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