近日，韓國KCC集團(tuán)宣布開發(fā)出基于氮化鋁的高強(qiáng)度高導(dǎo)熱陶瓷電路基板，據(jù)稱，這種命名為“H-AlN DCB”的基板的導(dǎo)熱系數(shù)是氧化鋁DCB板的6倍，除了具有氮化鋁陶瓷的高導(dǎo)熱性外，還提高了產(chǎn)品強(qiáng)度，具有優(yōu)異的耐久性。

直接覆銅(DCB)工藝即一種把銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al₂O₃)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝方法。雖然氧化鋁基板成本較低，但是氮化鋁基板的導(dǎo)熱性能更好，因此適合于高功率應(yīng)用(高電流/電壓)，而高功率應(yīng)用又需要高水平的散熱，產(chǎn)品主要的挑戰(zhàn)在于在越來越小的芯片尺寸中處理更高的功率。

氧化鋁陶瓷基板直接覆銅是非常成熟的工藝，但AlN直接覆銅由于與Cu的潤濕性極差。據(jù)介紹，KCC旗下先進(jìn)材料部門經(jīng)過4年研發(fā)來尋找最佳的混合比，使其兼具高導(dǎo)熱和高強(qiáng)度，從而通過快速放熱使半導(dǎo)體器件能夠長時(shí)間高效地工作，該產(chǎn)品在導(dǎo)熱性和強(qiáng)度上都有優(yōu)勢。一位公司官員稱，“通過這次開發(fā)，我們計(jì)劃以這次開發(fā)為契機(jī)，在全球舞臺上宣傳KCC的材料技術(shù)，并通過開發(fā)考慮到不同客戶特殊工藝的產(chǎn)品來加速市場擴(kuò)張。”

參考來源：koreaittimes

編譯 YUXI（原創(chuàng)）