7月27日，意法半導體（STMicroelectronics）宣布在瑞典Norrk?ping工廠推出首批200mm（8英寸）碳化硅晶圓，這被視為碳化硅襯底從150毫米向200毫米制式產品過渡的里程碑，是對汽車等工業市場電氣化中的大力支持。

據介紹，這是全球最早量產的SIC晶片，意法對其高度評價，質量高、成品率高、晶體位錯缺陷低。其中，低缺陷是通過利用STMicroelectronics SiC Carbide A.B.（前身為Norstel A.B.，ST于2019年收購）開發的碳化硅錠生長技術方面的卓越技術和專業知識而實現的。除了滿足質量挑戰外，向200mm SiC基板過渡還需要在制造設備和整體支持生態系統性能方面向前邁進一步。ST正與覆蓋整個供應鏈的技術合作伙伴合作，開發自己的200mm碳化硅制造設備和工藝。業內有評價認為：200mm晶圓可增加產能，與150mm晶圓相比，制造集成電路的有用面積幾乎是前者的兩倍，可提供1.8-1.9倍的工作芯片。

ST公司在SiC領域的領導地位是25年專注于研發并擁有70多項專利的結果。顛覆性技術允許更高效的功率轉換、更輕和更緊湊的設計，以及整體系統設計成本的節約——所有這些都是汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。ST公司目前在卡塔尼亞（意大利）和Ang Mo Kio（新加坡）的兩個150毫米晶圓生產線上生產其領先的大批量STPOWER SiC產品，并在深圳（中國）和Bouskoura（摩洛哥）的后端工廠進行組裝和測試。根據目前進展，該公司正在進行的計劃，即在2024年之前建立一個新的碳化硅襯底工廠，并從內部采購40%以上的碳化硅襯底。

編譯 YUXI